齐纳电压：4.3V
　　公差：±5%
　　功率耗散：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-123
　　最大反向漏电流：100nA（在1V下）
　　齐纳阻抗：600Ω（最大）

MMSZ4687-4V3齐纳二极管具有多个关键特性，使其在电子设计中非常实用。首先，其齐纳电压精度较高，典型值为4.3V，公差为±5%，这使其非常适合用于需要稳定电压参考的应用，如电源管理电路、模拟信号处理和精密测量设备。其次，该器件的封装为SOD-123，这是一种小型表面贴装封装，占用空间小，便于在高密度PCB布局中使用。此外，MMSZ4687-4V3的功率耗散能力为200mW，能够在中等电流条件下提供稳定的齐纳电压，适用于多种中低功率应用场景。该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，适用于工业级和汽车电子等对温度适应性要求较高的环境。其最大反向漏电流仅为100nA，在1V反向电压下表现出极低的漏电特性，确保了在非导通状态下的低功耗和高稳定性。同时，该齐纳二极管的动态阻抗较低，最大为600Ω，有助于维持输出电压的稳定，即使在负载变化的情况下也能提供较为恒定的电压参考。综上所述，MMSZ4687-4V3凭借其紧凑的封装、高电压精度、低漏电流和良好的温度适应性，成为多种电压参考和调节应用的理想选择。

MMSZ4687-4V3齐纳二极管广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要稳定电压参考的场合。例如，在电源管理电路中，它可以作为基准电压源，为电压调节器、ADC（模数转换器）或DAC（数模转换器）提供参考电压，确保系统精度。在过压保护电路中，该齐纳二极管可用于限制输入电压，保护后续电路免受高压损坏，常见于USB接口、传感器输入端和电池供电设备中。此外，它也适用于电压钳位电路，用于保护MOSFET栅极或运算放大器输入端免受静电放电（ESD）或瞬态电压的影响。在模拟电路设计中，如音频放大器或精密测量仪器中，MMSZ4687-4V3可以提供稳定的偏置电压，提高系统的线性度和稳定性。由于其SOD-123封装体积小巧，因此也常用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，用于节省空间并提高系统集成度。

MM3Z4300, BZX84C4V3, MMSZ4687T1G