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IXTA160N085T 发布时间 时间:2025/8/6 5:39:39 查看 阅读:29

IXTA160N085T是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效率、高功率密度的电力电子系统中。该器件采用先进的沟槽技术,提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于如电源转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化设备等应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):80V
  连续漏极电流(Id):160A(在Tc=25°C)
  导通电阻(Rds(on)):最大8.5mΩ(在Vgs=10V)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.1V至4.0V
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

IXTA160N085T采用了先进的沟槽式MOSFET技术,以实现更低的导通电阻和更高的效率。其主要特性包括:
  低导通电阻:Rds(on)最大值为8.5mΩ,这使得器件在导通状态下能够保持较低的功率损耗,从而提高整体系统的效率。
  高电流能力:在Tc=25°C条件下,连续漏极电流可达160A,适合用于高功率应用。
  高耐用性:该MOSFET具备较高的热稳定性和长期可靠性,能够在高温环境下稳定工作。
  快速开关特性:具备较低的开关损耗,适合用于高频开关电路。
  宽温度范围:支持从-55°C到+175°C的工作温度范围,适用于各种恶劣环境条件下的应用。
  过载和短路保护能力:由于其坚固的设计,IXTA160N085T能够在短时间内承受过载和短路情况而不损坏。
  TO-263(D2PAK)封装:这种表面贴装封装形式提供了良好的散热性能,并且便于在PCB上安装和焊接。

应用

IXTA160N085T因其优异的电气性能和可靠性,被广泛应用于多种电力电子设备和系统中。主要应用领域包括:
  直流-直流转换器:如升压(Boost)和降压(Buck)转换器,用于提高或降低输入电压以适应不同负载需求。
  电机驱动器:适用于工业自动化、机器人和电动工具中的高效电机控制电路。
  电池管理系统:用于电动汽车、储能系统和便携式电子设备中的电池充放电管理。
  不间断电源(UPS):作为关键的功率开关元件,确保在主电源故障时能够无缝切换至备用电源。
  太阳能逆变器:用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电以供家庭或电网使用。
  工业电源:包括各种高功率密度的开关电源模块,用于工业控制、通信设备和测试仪器等。
  汽车电子:如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制系统等。

替代型号

IXTA160N085T的替代型号可能包括:SiS160N08NQ、FDP160N08A、IRF160N08N,具体选择应根据电路设计要求和参数匹配进行验证。

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IXTA160N085T参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)85V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C160A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs164nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds6400pF @ 25V
  • 功率 - 最大360W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装TO-263
  • 包装管件