MMSZ27T1G
时间:2023/3/31 11:52:13
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概述
齐纳击穿电压Vz最小值(V):25.650
齐纳击穿电压Vz典型值(V):27
齐纳击穿电压Vz最大值(V):28.350
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):80
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:Y1
封装/温度(℃):SOD123/-55~150
MMSZ27T1G推荐供应商
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- MMSZ27T1G
- 上海包恰科技有限公司
- 15000
- ON SEMICONDUCTOR
- 23+/24+/Zener Diode Single 27V 5 80Ohm 500mW 2Pin SOD
-
MMSZ27T1G参数
- 标准包装10
- 类别分离式半导体产品
- 家庭单二极管/齐纳
- 系列-
- 电压 - 齐纳(标称)(Vz)27V
- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
- 电流 - 在 Vr 时反向漏电50nA @ 18.9V
- 容差±5%
- 功率 - 最大500mW
- 阻抗(最大)(Zzt)80 欧姆
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳SOD-123
- 供应商设备封装SOD-123
- 包装Digi-Reel®
- 工作温度-55°C ~ 150°C
- 其它名称MMSZ27T1GOSDKR