您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MMSZ27T1G

MMSZ27T1G 发布时间 时间:2023/3/31 11:52:13 查看 阅读:1032

MMSZ27T1G技术参数

目录

概述

齐纳击穿电压Vz最小值(V):25.650

齐纳击穿电压Vz典型值(V):27

齐纳击穿电压Vz最大值(V):28.350

@Izt(mA):5

齐纳阻抗Zzt(Ω):80

最大功率PMax(W):0.500

芯片标识:Y1

封装/温度(℃):SOD123/-55~150

资料

厂商
ON Semiconductor

MMSZ27T1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MMSZ27T1G资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

MMSZ27T1G参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)27V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50nA @ 18.9V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)80 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装SOD-123
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称MMSZ27T1GOSDKR