最大反向电压（VR）：1200V
　　额定正向电流（IF）：10A
　　正向压降（VF）：1.8V @ 10A
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-220
　　安装类型：通孔（Through Hole）
　　绝缘类型：非绝缘型

C4D10120D 碳化硅肖特基二极管具有多项显著特性。首先，其采用碳化硅材料，使得器件具有更高的热导率和更宽的禁带宽度，从而在高温环境下仍能保持稳定运行。其次，C4D10120D 具有极低的正向压降（仅1.8V@10A），有助于降低导通损耗并提高整体效率。此外，该器件没有反向恢复时间（Zero Reverse Recovery Time），显著减少了开关损耗，适用于高频开关应用。其快速的开关特性也使得电路设计更加紧凑，减少外围元件的使用。
　　另一个显著优势是 C4D10120D 的高可靠性，其设计能够承受较高的热应力和机械应力，适用于恶劣工作环境。由于碳化硅材料的优越性，该器件在高温下依然能保持良好的导电性能和稳定性。此外，C4D10120D 还具有较低的漏电流，有助于提高系统的整体效率并减少不必要的功耗。这些特性使其成为高效功率转换系统中的理想选择。

C4D10120D 主要应用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统。常见的应用包括开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、太阳能逆变器、电动汽车（EV）充电系统、电机驱动器和工业变频器等。由于其高频开关能力和低损耗特性，C4D10120D 特别适用于需要提高能效和减小系统尺寸的场合。此外，在高温环境下工作的系统，如汽车电子和工业自动化设备，也可以充分利用该器件的热稳定性和可靠性优势。
　　在具体电路设计中，C4D10120D 可用于构建高效整流电路、DC-DC转换器、AC-DC转换器以及高频谐振变换器等。它的优异性能使其在替代传统硅基二极管方面具有明显优势，尤其是在高功率密度和高效率要求的应用中。

C4D10120A, C4D10120R, C3D02150A