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MMSZ10T1G 发布时间 时间：2023/4/6 11:42:35 查看 阅读：1107

MMSZ10T1G技术参数

目录

概述

齐纳击穿电压Vz最小值(V)：9.500

齐纳击穿电压Vz典型值(V)：10

齐纳击穿电压Vz最大值(V)：10.500

@Izt(mA)：5

齐纳阻抗Zzt(Ω)：20

最大功率PMax(W)：0.500

芯片标识：A1

封装/温度(℃)：SOD123/-55~150

资料

厂商
ON Semiconductor

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MMSZ10T1G产品

MMSZ10T1G参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳（标称）(Vz)10V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电200nA @ 7V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗（最大）(Zzt)20 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装SOD-123
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称MMSZ10T1GOSDKR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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