MMSZ10T1G技术参数
齐纳击穿电压Vz最小值(V):9.500
齐纳击穿电压Vz典型值(V):10
齐纳击穿电压Vz最大值(V):10.500
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):20
最大功率PMax(W):0.500
芯片标识:A1
封装/温度(℃):SOD123/-55~150