时间：2025/6/19 18:06:02
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MMSF7P03HDR2G是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，采用PDFN封装形式。该器件主要应用于需要低导通电阻和高效能开关的场景，如负载开关、DC-DC转换器、电源管理模块以及便携式电子设备等。其设计旨在提供高效率和出色的热性能。
最大漏源电压：30V
最大连续漏电流：3.5A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极电荷（典型值）：8nC
总电容（输入电容）：190pF
工作结温范围：-55℃至175℃
MMSF7P03HDR2G具有超低导通电阻，能够有效降低功率损耗并提高整体系统效率。
该器件具备快速开关速度，有助于减少开关损耗。
其小型PDFN封装使其非常适合空间受限的应用环境。
较高的工作温度范围赋予其在恶劣环境下工作的能力。
良好的热性能确保长时间稳定运行。
该MOSFET广泛用于各种电源管理场景，包括但不限于以下领域：
负载开关控制，适用于移动设备和消费类电子产品。
同步整流电路，提升DC-DC转换器的效率。
电池保护和管理系统中的开关元件。
工业自动化设备中的信号切换和控制功能。
汽车电子系统内的电源分配与控制单元。
MMPF7P03HDR2G
MMSF7P04HDR2G
