时间：2025/4/28 13:09:18
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MMSF10N03ZR2是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用小尺寸的DFN封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，非常适合用于空间受限的应用场景。其典型应用包括负载开关、DC-DC转换器、电机驱动、电池保护电路以及消费类电子设备中的电源管理解决方案。
该型号是Micro Commercial Co.（微商业株式会社）推出的产品之一，专注于高性能和高可靠性的功率半导体器件。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：5A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：8nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：DFN2x2-6L
MMSF10N03ZR2具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少传导损耗并提升效率。
2. 高速开关能力，适合高频操作环境。
3. 小巧的DFN封装设计，便于在紧凑型电路板上使用。
4. 优异的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
5. 内置反向二极管，支持续流功能，简化电路设计。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
这款功率MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关和电源管理模块。
2. 消费类电子产品中的DC-DC转换器。
3. 便携式设备中的电池保护电路。
4. 小型电机驱动和控制单元。
5. LED驱动器和其他需要高效功率切换的应用场景。
MMPF10N03Z, IRF7413, FDN340P
