时间：2025/4/29 12:47:51
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MMSF10N02ZR2G 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用超薄封装设计，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等应用。其出色的电气性能使其成为便携式电子设备的理想选择。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：10A
导通电阻：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：7nC（典型值）
开关频率：支持高达 2MHz 的开关频率
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-3L
MMSF10N02ZR2G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功耗并提升系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高温稳定性，能够在极端温度条件下保持稳定性能。
4. 小尺寸封装，便于在空间受限的设计中使用。
5. 提供出色的 ESD 和雪崩保护能力，增强了器件的可靠性。
MMSF10N02ZR2G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)。
2. DC-DC 转换器。
3. 电池管理系统 (BMS)。
4. 电机驱动和控制。
5. 通信设备中的负载开关。
6. 消费类电子产品中的电源管理模块。
MMPF10N02ZP2G, MMBF10N02ZP2G
