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MMSD103T1G 发布时间 时间：2023/4/4 11:06:14 查看 阅读：537

MMSD103T1G技术参数

目录

概述

最小反向电压VR(V)：250

最大反向漏电流IR(?A)：100

正向恢复电压VF最大值(V)：1

最大二极管电容CT(pF )：5

反向恢复时间trr(ns)：50

类型：单开关管

封装/温度(℃)：SOD123/-55~150

资料

厂商
ON Semiconductor

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MMSD103T1G产品

MMSD103T1G参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)（最大）250V
  • 电流 - 平均整流 (Io)200mA（DC）
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）1.25V @ 200mA
  • 速度小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)50ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 200V
  • 电容@ Vr, F5pF @ 0V，1MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装SOD-123
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MMSD103T1GOSDKR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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