型号：MMS73-331MT
　　制造商：Multicomp Pro (RS Components)
　　封装类型：SOT-23 (SC-59)
　　二极管配置：双路共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　最大平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：1A
　　最大正向压降（VF）：450mV @ 10mA, 600mV @ 200mA
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 25°C, VR=30V
　　反向恢复时间（trr）：4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

MMS73-331MT的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种技术利用金属与半导体之间的势垒形成整流效应，而非传统的PN结。因此，它具备显著低于标准硅二极管的正向导通压降，典型值仅为450mV左右，在小电流工作条件下可大幅减少功率损耗，提升整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，因为更低的压降意味着更长的续航时间和更高的能量利用率。同时，肖特基二极管固有的快速开关特性使得该器件的反向恢复时间极短，典型值仅为4ns，远优于普通整流二极管的数百纳秒甚至微秒级恢复时间。这一特点使其非常适合用于高频开关电路中，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC变换器中的续流或箝位二极管，能够有效抑制电压尖峰并防止寄生振荡。
　　该器件采用双二极管共阴极结构，即两个阳极分别引出，而阴极内部连接在一起，这种拓扑结构常见于全波整流桥的一半电路或双通道信号检测与钳位应用中。例如，在USB数据线保护电路中，可以使用此类结构将差分信号的正负摆幅限制在安全范围内，避免过压损坏后级IC。SOT-23封装不仅体积小巧（约2.8mm x 1.6mm x 1.1mm），还具备良好的散热性能和焊接可靠性，支持自动化贴片生产，适合大规模批量制造。此外，该器件具有较低的结电容，有助于减少高频信号路径上的容性负载，保持信号完整性。尽管肖特基二极管存在相对较高的反向漏电流（尤其是在高温环境下），但MMS73-331MT通过优化工艺控制将其限制在100μA以内（@30V, 25°C），在大多数应用场景下仍处于可接受范围。总体而言，MMS73-331MT是一款兼顾性能、尺寸与成本的高性能表面贴装二极管阵列，适用于对效率和空间要求较高的现代电子系统。

MMS73-331MT凭借其低正向压降、快速响应和小型化封装，广泛应用于多种电子系统中。在电源管理领域，常被用作DC-DC转换器中的续流二极管或同步整流辅助二极管，尤其适用于升压（Boost）、降压（Buck）和反激式拓扑结构中，帮助实现高效的能量传递并减少热量积累。在电池供电设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，该器件可用于电池充放电路径的隔离与保护，防止反向电流造成损害。此外，在各类接口电路中，如I2C、SPI、UART等数字通信总线，MMS73-331MT可作为电平移位元件或静电放电（ESD）防护器件，利用其快速响应能力吸收瞬态高压脉冲，保护敏感逻辑芯片。
　　在消费类电子产品中，该器件也常见于LED驱动电路中，作为防倒灌二极管使用，确保电流单向流动以维持亮度稳定。工业控制模块、传感器信号调理电路以及便携式医疗设备同样依赖其高可靠性和紧凑尺寸来实现多功能集成。由于其双共阴极结构，MMS73-331MT还可用于构建简易的全波整流电路，配合变压器次级绕组将交流信号转换为直流电压，适用于低功率信号采集系统或隔离电源反馈回路。在射频（RF）和无线通信前端电路中，该器件可用于检波或包络检测功能，得益于其非线性伏安特性和快速响应速度。总之，MMS73-331MT是一款通用性强、适应面广的表面贴装二极管解决方案，适用于从基础电源管理到复杂信号处理的各种应用场景。

MBR0520-7-F
　　RB751S-30
　　PMDS331HN,115
　　SD103AWS-T1-E6