时间：2025/8/15 2:08:55
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SVT12100VB是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET器件，主要用于高电压和高功率的应用场合。这款MOSFET采用先进的沟槽栅技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）以及优异的开关性能，使其在高效率电源转换系统中表现出色。SVT12100VB的额定电压为1200V，最大连续漏极电流为100A，适用于工业电机控制、电动汽车（EV）充电系统、光伏逆变器以及各种电力电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1200V
最大漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.14Ω（最大值0.17Ω）
栅极电荷（Qg）：典型值160nC
最大功耗（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247AC
SVT12100VB采用了意法半导体的先进沟槽栅（Trench Gate）技术和超结（Super Junction）结构，显著降低了导通损耗并提高了开关效率。其低Rds(on)特性使其在高电流负载下依然能够保持较低的导通压降，从而减少了功率损耗和热量生成。此外，该器件具有较高的热稳定性和短路耐受能力，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。
该MOSFET的栅极驱动设计优化，使得其驱动损耗较低，适用于高频开关应用。同时，其封装形式（TO-247AC）提供了良好的散热性能，有助于提高整体系统的可靠性。
SVT12100VB还具备良好的抗雪崩能力和高dv/dt耐受性，使其在电感性负载切换等高应力应用中表现出色。
SVT12100VB广泛应用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统，如工业电机驱动器、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电动汽车充电设备以及开关电源（SMPS）等。由于其高耐压和大电流能力，它特别适合用于需要高可靠性和高性能的工业控制和能源转换系统。
STY120N120K5AG | SCT3040KR | STH120N120K5AG
