类型：双肖特基二极管阵列
　　配置：共阴极（Common Cathode）
　　封装：SOT-23（SC-59）
　　最大重复反向电压（VRRM）：82V
　　最大直流反向电压（VR）：82V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：500mA（半波，60Hz）
　　最大正向电压（VF）：450mV（在10mA时典型值约为380mV）
　　最大反向漏电流（IR）：1μA（在25°C时），随温度升高而增加
　　反向恢复时间（trr）：典型值小于1ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：约350°C/W（取决于PCB布局）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

MMS127-821MT的核心优势在于其采用肖特基势垒技术所实现的低正向导通压降和超快开关速度。这种结构通过金属-半导体接触形成势垒，而非传统的P-N结，因此在正向导通时仅有少数载流子注入，极大地减少了开关过程中的存储电荷，从而实现了几乎瞬时的反向恢复响应。这一特性使得该器件在高频开关电路中表现优异，例如在开关电源的续流与箝位环节中，能够有效抑制电压尖峰，减少电磁干扰（EMI），并提升整体转换效率。由于其正向压降低，通常在0.3V~0.45V之间（具体取决于工作电流），相较于传统硅二极管（约0.7V），可显著降低导通损耗，特别适用于对能效敏感的应用场景，如移动设备、可穿戴电子产品和物联网终端。
　　该器件的共阴极双二极管结构非常适合用于双通道信号整流、输入/输出端口的瞬态电压抑制以及逻辑电平移位电路中的双向保护。每个二极管可独立工作，额定平均整流电流为200mA，足以应对大多数中小功率信号处理需求。此外，其高达82V的反向耐压能力使其能够在多种低压直流系统中安全运行，包括12V、24V甚至48V工业控制总线系统。MMS127-821MT还具备良好的热稳定性，结温可达+150°C，支持高温环境下长期可靠运行，适用于汽车电子、工业自动化等严苛应用场景。
　　SOT-23封装不仅体积小巧（典型尺寸约2.8mm × 1.6mm × 1.2mm），而且引脚间距为0.95mm，兼容标准SMT贴片工艺，便于大规模自动化生产。该封装具有较低的寄生电感和电容，有助于维持高频性能。此外，器件符合IEC 61000-4-2 ESD标准，具备一定的静电放电防护能力，进一步增强了系统的鲁棒性。MMS127-821MT无铅且符合RoHS环保要求，支持绿色制造流程。总体而言，这款二极管阵列结合了高性能、小型化和高可靠性，是现代电子设计中理想的通用型保护与整流元件。

MMS127-821MT广泛应用于各类需要高效、紧凑型二极管解决方案的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机，常被用于电池充电管理电路中的防反接保护、USB接口的信号箝位与ESD防护，以及DC-DC转换器中的续流二极管。由于其低正向压降和快速响应特性，有助于延长电池续航时间并提升电源转换效率。
　　在通信与数据接口领域，该器件可用于RS-232、I2C、SPI等串行总线的电平转换和过压保护，防止因信号反射或意外短路导致的芯片损坏。其共阴极结构特别适合构建双通道箝位电路，将输入信号限制在安全电压范围内，保护后级CMOS集成电路。
　　在工业控制系统中，MMS127-821MT可用于PLC模块、传感器接口和继电器驱动电路中的反激电压吸收，抑制感性负载断开时产生的高压尖峰，从而保护开关晶体管或MOSFET。此外，在汽车电子应用中，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和LED照明驱动电路，该器件也能发挥出色的保护作用，满足AEC-Q101可靠性认证的相关要求（若型号为车规级版本）。
　　其他典型应用还包括：高频整流电路、采样保持电路、峰值检测器、逻辑门电路的输入保护、LCD偏压生成电路中的隔离二极管，以及各种模拟开关外围的钳位网络。得益于其宽泛的工作温度范围和稳定的电气性能，MMS127-821MT也适用于户外设备、医疗仪器和测量仪表等对长期可靠性要求较高的场合。

MBR0282T1G
　　RB028M-40
　　SS14