类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：4.8 A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：100 V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=4.5V 时最大 180 mΩ，@Vgs=10V 时最大 110 mΩ
　　功率耗散（Pd）：1.4 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-223

MMJT9410G 具备多项显著特性，首先其低导通电阻可有效降低导通损耗，提高系统效率，特别是在高负载电流应用中表现尤为出色。
　　其次，该 MOSFET 采用了先进的沟槽式结构，显著提升了单位面积内的电流处理能力，同时保持较低的栅极电荷（Qg），从而实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
　　此外，MMJT9410G 的 SOT-223 封装形式具有良好的热性能，能够在高功率密度设计中有效散热，确保器件在高温环境下稳定运行。
　　该器件的栅极驱动电压兼容广泛，支持 4.5V 至 10V 的驱动范围，适用于多种类型的 MOSFET 驱动器和控制器。
　　MMJT9410G 还具备良好的短路和过热保护能力，在异常工作条件下仍能保持稳定性和可靠性，适用于对安全性和稳定性要求较高的应用场合。

MMJT9410G 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　电源管理系统：如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等，用于提高转换效率和降低功耗。
　　电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携式电子产品，利用其低导通电阻和高效率特性延长电池寿命。
　　工业自动化和控制系统：作为功率开关用于电机控制、继电器驱动、传感器供电等场景。
　　消费类电子产品：如 LED 照明驱动、电源适配器、充电器等，满足小型化和高效能的设计需求。
　　汽车电子：用于车载电源管理、照明系统、车载充电系统等应用，适应较为严苛的工作环境。

MTMJD9410AG, DMN61D8LVTN, SiSS14CN, 2N7002K, FDS6675CZ