时间：2025/8/5 23:20:51
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MMIX1F210N30P3是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率和高频率的电子电路中。该器件采用先进的硅技术制造，具备优异的导通性能和开关特性。MMIX1F210N30P3的封装形式为TO-247，适用于各种工业、汽车和消费类电子应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：300V
最大漏极电流(Id)：10A
最大功耗(Pd)：150W
导通电阻(Rds(on))：0.21Ω
栅极电荷(Qg)：60nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-247
MMIX1F210N30P3具有低导通电阻，能够显著减少导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力使其适用于高压电路设计。此外，该器件具备快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频操作环境。
MMIX1F210N30P3还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于高可靠性要求的应用场景。其TO-247封装形式便于散热，确保在高功率应用中的稳定性。该器件还具备优异的抗静电能力，能够有效防止静电放电造成的损坏，提高了器件的可靠性和寿命。
MMIX1F210N30P3常用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器、UPS（不间断电源）和工业自动化设备等高功率应用中。其优异的性能使其成为各种高电压和高电流电子设备的理想选择。此外，该器件也广泛应用于汽车电子系统、照明设备以及各种工业控制系统中。
IXFH10N30P3, IRFP460, FDPF460
