SJPB-D9VR 时间：2025/9/6 4:18:37 阅读：6

SJPB-D9VR是一款由松下（Panasonic）生产的高性能功率MOSFET晶体管，主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的沟槽式技术，提供了低导通电阻和高耐压能力，适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等多种工业和消费类电子应用。SJPB-D9VR封装为DIP-8，便于焊接和安装，同时具备良好的热管理和散热性能，确保在高负载条件下稳定运行。

参数

型号：SJPB-D9VR
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　漏源击穿电压（VDS）：100V
　　栅源击穿电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大12mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-263（DIP-8）

特性

SJPB-D9VR具有多项优异的电气和机械特性，使其在各种高功率应用场景中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流条件下功耗最小化，从而提高系统效率并减少散热需求。其次，该器件的高耐压能力（VDS=100V）使其适用于中高功率电源系统，如服务器电源、电动工具和电动车控制系统。此外，SJPB-D9VR采用了先进的沟槽式结构，优化了电流分布，提高了器件的稳定性和可靠性。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，适合高频开关应用，从而减少开关损耗并提高整体系统性能。其封装形式为TO-263（DIP-8），具备良好的散热性能，能够有效应对长时间高负载运行带来的热量积累。SJPB-D9VR还内置了静电放电（ESD）保护电路，增强了器件在复杂电磁环境中的抗干扰能力，从而提高了长期使用的稳定性。
　　此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅生产工艺，符合现代电子产品对环保和可持续发展的要求。在工业控制、汽车电子、新能源设备等领域，SJPB-D9VR都能提供稳定可靠的性能支持。

应用

SJPB-D9VR广泛应用于各类高功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理模块、电动工具控制器、服务器电源、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动车控制系统等。由于其具备高耐压、低导通电阻和良好的散热性能，特别适合需要高效率和高可靠性的应用场景。在工业自动化、智能电网、新能源设备等领域，SJPB-D9VR都能发挥重要作用。