时间：2025/8/16 18:18:01
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MMDT5551 是一种双极性晶体管（BJT）阵列器件，采用 SOT-363 封装，适用于需要高性能双晶体管配置的电路设计。该器件内部集成了两个 NPN 型晶体管，采用共发射极结构设计，适用于高频放大和开关应用。MMDT5551 的设计优化了器件的稳定性和一致性，使其在模拟和数字电路中具有广泛的应用。SOT-363 是一种小型化的六引脚表面贴装封装，便于在高密度 PCB 设计中使用。
晶体管类型：NPN 双晶体管阵列
最大集电极电流（IC）：100mA（每个晶体管）
最大集电极-发射极电压（VCE）：150V
最大集电极-基极电压（VCB）：150V
最大功耗（PD）：200mW
电流增益（hFE）：110-800（根据工作电流不同）
频率响应（fT）：100MHz（最小）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-363
MMDT5551 提供两个独立的 NPN 晶体管，集成在一个小型封装中，有助于减少 PCB 上的元件数量和布局空间。每个晶体管的电气特性一致，非常适合需要对称性设计的差分放大器和推挽式输出级。其高电流增益范围（hFE）确保了在不同工作条件下都能实现良好的放大性能。MMDT5551 具有较高的最大工作电压（VCE 为 150V），适用于中高压开关和放大电路。该器件的高频响应能力（fT 为 100MHz）使其在射频和高速开关应用中表现出色。SOT-363 封装不仅体积小巧，而且具有良好的热稳定性和机械强度，适合自动化装配和高密度设计。
此外，MMDT5551 的功耗控制良好，在典型工作条件下能够保持较低的发热水平，从而提高系统的整体可靠性。该器件的温度适应性强，可以在 -55°C 至 +150°C 的范围内稳定工作，适合工业级和汽车电子应用。由于其广泛的工作条件适应性和高可靠性，MMDT5551 被广泛应用于音频放大器、电源管理电路、逻辑电平转换器、LED 驱动器以及各种开关控制电路。
MMDT5551 SOT-363 主要用于需要双晶体管配置的电子电路中，例如差分放大器、推挽式输出级、逻辑电平转换电路、音频放大器输入级、LED 驱动电路以及低功耗开关应用。由于其高频率响应和良好的增益特性，该器件在射频前端电路和数字逻辑接口中也有广泛应用。此外，MMDT5551 还常用于工业控制、消费电子产品和汽车电子系统中的信号处理和功率控制模块。
MMDT5550, MMBT5551, MMBT5550, BCW61, BCW60
