晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：150V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　增益（hFE）范围：100-300
　　最大频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

MMDT5551晶体管具有较高的增益范围，使其适用于需要信号放大的电路设计。其增益范围100至300提供了灵活的选择，适用于不同的电路需求。此外，MMDT5551的SOT-23封装形式使其适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和电路板的小型化设计。
　　该晶体管的最大集电极-发射极电压为150V，能够承受较高的电压应力，适用于高电压环境下的操作。最大集电极电流为100mA，支持中等功率的开关和放大应用。同时，其最大频率（fT）为100MHz，适用于高频电路设计，如射频（RF）放大器和高速开关电路。
　　MMDT5551的封装和参数特性使其在温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费类电子设备。其可靠性和通用性使它成为电子工程师的常用选择。

MMDT5551晶体管广泛应用于通用电子电路中，包括信号放大、开关控制、电源管理以及逻辑电路设计。例如，它可用于音频放大器的前置放大级、数字电路的驱动级、LED驱动电路以及传感器信号调节电路。由于其高频特性，MMDT5551也适用于射频（RF）电路和高速开关电路，如电源逆变器和DC-DC转换器。
　　在消费电子产品中，MMDT5551常用于小型化设备中的电路设计，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在工业领域，它被用于自动化控制系统、测量仪器和通信设备。此外，该晶体管也适用于教育和实验用途，是电子工程学生和爱好者常用的元器件之一。

BC547, 2N3904, PN2222A