类型：双极型晶体管（PNP）
　　集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗：200mW
　　频率响应：100MHz
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据电流不同）
　　封装形式：SOT-363
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

MMDT4401的主要特性包括高电流增益（hFE），使其在低功率放大电路中表现出色。其hFE值在不同工作电流下可达到110至800之间，提供了良好的线性放大能力。
　　该器件具有较高的截止频率（fT）可达100MHz，适用于中高频开关和放大应用。此外，MMDT4401的VCEO电压额定值为40V，允许其在相对较高的电压环境中稳定工作。
　　由于采用SOT-363封装，MMDT4401具有较小的体积和良好的热性能，适合用于便携式设备和高密度电路板设计。
　　该晶体管还具备良好的温度稳定性，能够在-55°C至+150°C的温度范围内可靠运行，适用于工业级和汽车电子应用。
　　作为双晶体管阵列，MMDT4401在需要对称设计或差分放大器结构的电路中非常有用，例如在音频放大器、电源管理和信号调节电路中。

MMDT4401广泛应用于各种电子电路中，包括低噪声前置放大器、音频放大器、开关电路、逻辑电平转换、LED驱动电路、电源管理和传感器接口电路等。
　　它也常用于数字电路中作为开关元件，特别是在需要多个PNP晶体管的场合，如H桥驱动、电机控制和继电器驱动等。
　　此外，该器件适用于消费类电子产品、工业控制系统、汽车电子模块以及便携式设备中的信号处理和功率控制应用。

BC850系列、MUN5211、MMSZ4401、MMBT4401、MMDT4403