时间：2025/8/24 23:56:06
阅读：5
FDPF390N15 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流和高效率的应用设计。该器件采用先进的PowerTrench?技术，优化了导通电阻（Rds(on)）和开关性能，适用于电源管理和功率转换领域。FDPF390N15 封装在D2PAK（TO-263）封装中，便于散热和高功率操作。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：190A
漏极-源极电压（VDS）：150V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：2.8mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：D2PAK（TO-263）
FDPF390N15 MOSFET采用了安森美的PowerTrench?技术，这是一种先进的沟槽式MOSFET制造工艺，显著降低了导通电阻并优化了开关损耗。该器件的Rds(on)值仅为2.8mΩ，这意味着在高电流工作条件下，其功耗较低，有助于提高整体系统的效率。此外，FDPF390N15具备优异的热性能，其D2PAK封装设计能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定运行。
该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护，增强系统的可靠性和耐用性。其栅极驱动电压范围为10V至20V，适用于多种驱动电路配置。FDPF390N15还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和电池管理系统等。
FDPF390N15广泛应用于高功率电子设备中，如工业电源、电信电源系统、电动工具、电动汽车（EV）充电器、逆变器、电池管理系统（BMS）以及太阳能逆变器等。其高电流处理能力和低导通电阻使其成为需要高效能功率转换和控制的理想选择。在同步整流器中，它可显著降低传导损耗，提高能效。在电机驱动和电源管理模块中，FDPF390N15可用于实现紧凑、高效的设计。
SiC MOSFET（如Cree/Wolfspeed C3M0060065J）、IXYS IXFH190N15P、STMicroelectronics STP190N15K5
