时间：2025/9/14 10:59:58
阅读：9
PESD5V0S2UQ,115 是一款由 NXP Semiconductors 生产的双通道静电放电（ESD）保护二极管阵列，主要用于保护敏感的电子设备免受静电放电和瞬态电压的损害。该器件采用双极性设计，每个通道均可提供双向保护，适用于低电压信号线路的保护，如 USB、HDMI、以太网和其他高速数据线路。该器件封装在小型的 UDFN（Ultra Thin Dual Flat No-lead）封装中，适合高密度 PCB 设计。
工作电压：5.0V
钳位电压（最大）：13.3V @ Ipp=3.76A
反向击穿电压：6.3V（最小）
峰值脉冲电流（Ipp）：±3.76A（每通道）
响应时间：小于 1 ns
封装类型：UDFN6
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
湿度等级：1（无铅，符合 RoHS 标准）
PESD5V0S2UQ,115 是一款高性能的 ESD 保护器件，具备优异的电气特性和稳定性。该器件采用双向保护结构，可在两个方向上有效抑制静电放电能量，从而保护连接的 IC 和电路不受损坏。其低钳位电压特性确保在发生 ESD 事件时，传输到后级电路的能量尽可能小，减少对敏感元件的影响。此外，该器件具有极快的响应时间，通常在 1 纳秒以内，能够迅速响应并抑制瞬态电压，从而提供高效的保护。其低漏电流设计（通常小于 100 nA）确保在正常工作条件下不会对电路性能产生影响。PESD5V0S2UQ,115 还具备高可靠性，可承受高达 ±30kV 的空气放电和 ±30kV 的接触放电（依据 IEC 61000-4-2 标准），满足工业级 ESD 保护需求。由于其双通道设计，单个器件可同时保护两条信号线路，适用于如 USB 2.0 数据线（D+ 和 D-）等应用。此外，该器件采用无铅、绿色环保的 UDFN6 封装，符合 RoHS 和 REACH 标准，适用于现代电子产品的环保要求。
PESD5V0S2UQ,115 主要用于需要 ESD 保护的高速数据接口和低压信号线路中。典型应用包括 USB 2.0 和 USB 3.0 接口、HDMI 接口、以太网接口、RS-485 和 CAN 总线通信接口、智能手机和平板电脑的 I/O 端口保护、消费类电子设备的信号线保护、工业控制系统中的数据通信线路保护等。由于其双向保护能力和低电容特性（典型值为 1.5 pF），该器件特别适用于高速信号传输线路，确保信号完整性不受影响，同时提供可靠的 ESD 保护。它也常用于保护微控制器、FPGA、ADC/DAC 等敏感 IC 的输入/输出引脚，防止因静电放电或瞬态电压引起的损坏。
PESD5V0S2BA,115; PESD5V0U2UQ,115; TPD3E081; ESD5Z5.0R; ESDA6V1W5B
