晶体管类型：NPN 双极型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　集电极-基极电压（VCBO）：40V
　　发射极-基极电压（VEBO）：0.6V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-363（SC-70）

MMDT4401 K2X 拥有多项优异的电气特性，使其在各种电子应用中表现出色。首先，该器件的高电流增益（hFE）在低电流条件下仍保持稳定，典型值在100至300之间，具体取决于工作电流。这使得该晶体管适用于需要高增益放大的电路，例如音频前置放大器或传感器信号调理电路。
　　其次，MMDT4401 K2X 具有快速开关特性，其过渡频率（fT）可达100MHz以上，使其适用于高频开关和数字逻辑电路。此外，晶体管的基极-发射极电压（VBE）较低，通常在0.7V左右，有助于减少功耗并提高电路效率。
　　由于该器件采用SOT-363封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并且支持表面贴装工艺，便于自动化生产和焊接。此外，该封装具有良好的热性能，能够有效散热，确保在连续工作条件下的稳定性。
　　两个晶体管单元在电气参数上高度匹配，适用于需要对称性能的差分放大器、振荡器和模拟乘法器等电路设计。

MMDT4401 K2X 由于其紧凑的封装和高性能特性，被广泛应用于多个电子领域。常见的应用包括：音频放大器中的前置放大级、逻辑电平转换电路、LED驱动电路、开关电源中的控制电路、传感器接口电路以及模拟信号处理电路。
　　在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，MMDT4401 K2X 常用于电源管理、信号调节和接口控制电路。其低功耗和小尺寸特性使其成为电池供电设备的理想选择。
　　此外，该器件也广泛应用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中的数字和模拟电路设计。

MMDT4401LT1G, MMBT4401LT1G, BC847B, 2N3904