时间：2025/12/26 10:20:05
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MMDT3904V-7是一款由Diodes Incorporated生产的双NPN晶体管阵列，采用SOT-23-6封装。该器件集成了两个完全相同的NPN型BJT（双极结型晶体管），广泛应用于小信号放大和高速开关电路中。由于其紧凑的封装和高集成度，MMDT3904V-7特别适用于空间受限的便携式电子设备和高密度PCB布局设计。两个晶体管共用发射极连接，在内部并未相连，允许用户灵活配置为独立开关或差分对等应用结构。该器件符合RoHS环保标准，并具有无铅（Pb-free）处理工艺，适合现代绿色电子产品制造要求。MMDT3904V-7常用于电源管理、逻辑缓冲、LED驱动、信号路由以及模拟开关等场景，是消费类电子、通信模块和工业控制领域中的常用元件之一。
型号：MMDT3904V-7
类型：双NPN晶体管阵列
封装：SOT-23-6（SC-88A）
通道数：2
集电极-发射极电压（VCEO）：40V
集电极-基极电压（VCBO）：60V
发射极-基极电压（VEBO）：6V
最大集电极电流（IC）：200mA
功耗（PD）：350mW
直流电流增益（hFE）：100 @ IC=10mA, VCE=1V
过渡频率（fT）：300MHz
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
热阻θJA：357°C/W
安装方式：表面贴装（SMD）
MMDT3904V-7的每个晶体管均具备优异的小信号性能，其典型的直流电流增益（hFE）在100至300之间，具体取决于工作电流条件，这使其能够在低输入驱动下实现高效的电流放大功能。该器件的过渡频率高达300MHz，表明其在高频开关和射频前端应用中具有良好的响应能力，适合用于高速数字信号切换或高频振荡电路。由于采用了先进的硅外延平面工艺，晶体管具有较低的饱和压降（VCE(sat)通常为0.2V @ IC=10mA, IB=0.5mA），从而减少了导通损耗，提升了能效表现。
该器件的SOT-23-6封装不仅体积小巧，仅约2.8mm x 1.6mm x 1.45mm，而且引脚排列清晰，便于自动化贴片生产和回流焊工艺。六个引脚分别对应两个晶体管的基极、集电极和发射极，其中两个发射极引脚在封装上是分开引出的，但内部未连接，因此可支持不同的电路拓扑结构，如共发射极、共基极或差分对配置。这种灵活性使得MMDT3904V-7不仅可用于简单的开关控制，还能应用于模拟乘法器、有源负载或恒流源等复杂模拟电路。
此外，MMDT3904V-7具有良好的热稳定性和可靠性，在+150°C的最大结温下仍能保持正常工作，适用于高温环境下的工业控制系统。其低噪声特性和快速开关响应时间也使其成为传感器接口、音频前置放大和脉冲整形电路的理想选择。整体而言，这款双晶体管阵列为设计师提供了高性能、高集成度和节省空间的解决方案，尤其适合追求小型化与高效率并重的应用需求。
MMDT3904V-7广泛应用于各类中小功率电子系统中，典型用途包括逻辑电平转换、LED驱动电路、继电器或蜂鸣器控制、模拟开关、信号多路复用、电源使能控制以及数字隔离缓冲等。在移动设备中，它常被用于背光调节、按键检测和电池管理单元中的状态指示驱动。在通信接口电路中，该器件可用于RS-232电平转换或I2C总线缓冲增强。此外，还可作为射频开关或本地振荡器中的有源元件使用。
在工业控制领域，MMDT3904V-7可用于PLC模块中的输入输出信号调理、光电耦合器驱动以及电机驱动电路中的预驱动级。由于其良好的温度适应性，也可部署于汽车电子系统中，例如车身控制模块（BCM）、车灯控制单元或车载信息娱乐系统的外围驱动电路。在消费类电子产品如智能手表、无线耳机和物联网节点中，该器件凭借其微型封装和低功耗特性，成为实现高度集成化设计的关键组件之一。
MMBT3904DW-7
FMMT3904TA
DMMT3904W-7
