LMBT5551 是一款 NPN 型双极晶体管(BJT),由安森美半导体(onsemi)制造,广泛用于低功率开关和放大电路。该晶体管设计用于通用用途,具备较高的电流增益和较快的开关速度,适用于各种模拟和数字应用。LMBT5551 采用 SOT-23 小型封装,适合在空间受限的 PCB 设计中使用。
晶体管类型:NPN
最大集电极-发射极电压(VCEO):150V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗(PD):300mW
电流增益(hFE):在 IC=2mA 时,典型值为 80 至 600(根据后缀不同)
过渡频率(fT):100MHz
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23
LMBT5551 拥有优异的电气性能和稳定性,适用于多种电子电路设计。其主要特性包括:
高电流增益(hFE):LMBT5551 在不同工作条件下可提供较高的电流增益,通常在 80 至 600 之间,具体取决于后缀(如 LMBT5551LT1G 的 hFE 可分为不同等级)。这使得它非常适合用于信号放大和低功率开关应用。
快速开关特性:LMBT5551 的过渡频率(fT)为 100MHz,具备良好的高频响应,适合用于中高频放大器和快速开关电路。
宽工作电压范围:该晶体管的最大集电极-发射极电压(VCEO)为 150V,使其能够在较高的电压下工作,适用于多种电源管理和电压转换电路。
小尺寸封装:LMBT5551 采用 SOT-23 封装,体积小巧,便于在紧凑型 PCB 设计中集成,同时具备良好的散热性能。
温度稳定性:工作温度范围从 -55°C 到 +150°C,确保在极端环境条件下仍能保持稳定性能。
高可靠性:安森美半导体制造的 LMBT5551 具有良好的长期稳定性,广泛用于工业、消费电子和汽车电子等领域。
LMBT5551 的应用范围广泛,包括:
信号放大电路:适用于音频放大器、传感器信号调理电路等。
开关电路:常用于低功率开关控制,如继电器驱动、LED 控制和电机控制等。
数字逻辑电路:作为数字开关元件,用于构建逻辑门、缓冲器和电平转换器等。
电源管理:适用于 DC-DC 转换器、电池充电器和稳压电路中的控制元件。
接口电路:用于微控制器和外围设备之间的信号隔离和驱动。
工业自动化:在 PLC(可编程逻辑控制器)、工业传感器和执行器控制中广泛应用。
消费电子产品:如家用电器、智能设备和便携式电子产品中的信号处理和控制。
BC547, 2N3904, PN2222A, MMBT5551