类型：双NPN晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散：300mW
　　封装类型：SOT-363
　　工作温度范围：-55°C至150°C

MMDT3904晶体管具有多个显著特性，使其在电子设计中非常受欢迎。首先，该器件采用双晶体管结构，在单一封装中提供了两个独立的NPN晶体管，节省了PCB空间并减少了组件数量。其次，每个晶体管都具有40V的集电极-发射极击穿电压和100mA的最大集电极电流，能够满足大多数低功率开关和放大需求。此外，其SOT-363封装形式支持表面贴装技术，便于自动化生产和高密度布局。MMDT3904的工作温度范围宽，适用于恶劣环境条件，提高了器件的可靠性和适用性。最后，该晶体管具有快速开关特性和良好的线性放大性能，适合用于数字开关电路、信号放大器和接口电路等应用。
　　在电气性能方面，MMDT3904的增益（hFE）范围通常在110至800之间，具体数值取决于测试条件和电流水平，这使得它能够适应不同的增益需求。其基极-发射极电压（VBE）约为0.7V，适合标准的硅晶体管驱动条件。此外，该器件的频率响应较好，能够在中高频应用中保持良好的性能。MMDT3904的功耗为300mW，确保在低功耗设计中也能稳定运行。

MMDT3904晶体管广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：1. 数字开关电路：用于控制LED、继电器、小型电机等负载。2. 信号放大：适用于音频信号或数据信号的低噪声放大。3. 接口电路：用于微控制器和外围设备之间的电平转换和信号缓冲。4. 传感器电路：作为信号调理和放大元件。5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等。6. 工业控制系统：用于自动化设备中的信号处理和控制逻辑。7. 电源管理：用于DC-DC转换器或负载开关应用。

MMDT3906（互补型双PNP晶体管）、MJD3100、2N3904（单管）、BC847、BC817