时间：2025/5/9 10:29:17
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CBW321609U151T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用先进的封装工艺和材料，能够显著提升电力电子系统的性能和可靠性。其主要应用领域包括电源适配器、充电器、太阳能逆变器和工业电源等。
类型：增强型 GaN HEMT
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：15A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：70nC
开关频率：高达 2MHz
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：TO-247-3
CBW321609U151T 具备卓越的电气性能和稳定性，其低导通电阻和快速开关速度使其在高频应用中表现出色。
该器件采用了氮化镓材料，具有比传统硅基 MOSFET 更高的功率密度和更低的开关损耗。
此外，其增强型设计确保了在各种负载条件下的稳定性和安全性。
内置保护功能，如过流保护和短路保护，进一步提升了产品的可靠性和使用寿命。
该器件还支持多种驱动方式，便于与不同的控制系统集成。
CBW321609U151T 广泛应用于高频开关电源、快充设备、DC-DC转换器、无线充电系统、工业电机驱动以及可再生能源发电设备等领域。
其高效率和高功率密度特性使其成为下一代电力电子设备的理想选择。
尤其是在小型化和轻量化需求较高的场景中，这款器件能够提供出色的性能表现。
CBW321609U121T, CBW321609U181T
