类型：双通道肖特基二极管
　　配置：共阴极
　　封装：SOT-23（SC-59）
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　最大平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：500mA
　　最大正向电压（VF）：500mV @ 100mA
　　反向漏电流（IR）：1μA @ 25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻抗（RθJA）：350°C/W
　　安装类型：表面贴装（SMD）

MMDL101T1G-7的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，使得器件具备极低的正向导通压降（VF），通常在100mA电流下仅为500mV左右。这一特性显著降低了功率损耗，提高了能效，尤其适用于电池供电或对功耗敏感的应用场合。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少子存储效应，因此其开关速度极快，反向恢复时间（trr）典型值仅为4纳秒，远优于传统PN结二极管。这意味着该器件在高频开关电路中表现出色，能够有效抑制电压振铃和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。
　　该器件的共阴极结构设计使其非常适合用于双路电源输入选择、OR-ing电路或双通道信号整流。例如，在USB接口或多电源系统中，可利用两个肖特基二极管实现自动电源切换，防止电流倒灌。此外，低VF特性也使其成为理想的防反接保护元件，当电源极性接反时，二极管截止，从而保护后级电路不受损坏。SOT-23封装体积小巧，仅约2.8mm × 1.6mm × 1.3mm，适合高密度布局的PCB设计，同时支持自动化贴片生产，有助于提高制造效率和产品一致性。
　　MMDL101T1G-7具有良好的热稳定性和可靠性，在+125°C高温环境下仍能保持正常工作。其反向漏电流在常温下低于1μA（@25V），确保在待机或低功耗模式下不会引入额外的静态电流消耗。尽管肖特基二极管的反向漏电较PN结稍大，但在30V以下的工作电压范围内，该型号的表现依然优异。器件通过AEC-Q101汽车级可靠性测试的可能性较高（需查证具体批次），因此也可应用于车载电子系统中，如车身控制模块、传感器接口或LED照明驱动等。整体而言，MMDL101T1G-7是一款高性能、小尺寸、高可靠性的通用型双肖特基二极管，广泛适用于各类现代电子系统的设计需求。

MMDL101T1G-7广泛应用于多种电子系统中，主要用于电源管理、信号处理和电路保护领域。常见应用包括便携式消费电子产品中的电池充电回路和电源路径控制，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，利用其低正向压降特性减少能量损耗，延长续航时间。在多电源系统中，如同时支持USB供电和电池供电的设备，该器件可用于构建OR-ing电路，实现无缝电源切换，防止电流倒流。此外，在数字逻辑电路中，常被用作电压电平移位器或钳位二极管，保护微控制器、FPGA或传感器接口免受过压或静电放电（ESD）损害。
　　在通信接口电路中，如RS-232、I2C、SPI等信号线上，MMDL101T1G-7可用于瞬态电压抑制和噪声滤波，提升信号完整性。其快速响应能力有助于抑制高频干扰脉冲。工业控制系统中，该器件可用于PLC模块、传感器信号调理电路中的反极性保护和整流功能。在LED驱动电路中，也可作为续流二极管使用，抑制感性负载产生的反向电动势。此外，由于其小型化封装特性，非常适合用于空间受限的高密度PCB布局，如模块化电源、无线收发模块、物联网终端设备等。汽车电子应用方面，可用于车身电子、信息娱乐系统接口保护或辅助电源管理单元中，提供可靠的双通道保护功能。

BAT54S, B340LB, RB751S40, PMEG3005EH, MMBD914