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MMDF3N03HDR2G 发布时间 时间:2025/7/4 5:22:01 查看 阅读:9

MMDF3N03HDR2G是一款由Microchip公司生产的MOSFET功率晶体管,采用TQFN封装形式。该器件属于N沟道增强型场效应晶体管,具有低导通电阻和快速开关速度的特性,广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等应用中。
  这款器件设计用于高效能电源管理解决方案,其小尺寸和高性能使其非常适合空间受限的应用环境。同时,它具备出色的热性能和电气稳定性,确保在高电流和高频工作条件下的可靠性。

参数

型号:MMDF3N03HDR2G
  类型:N沟道MOSFET
  封装:TQFN-8
  Vds(漏源极电压):30V
  Rds(on)(导通电阻):1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  Id(连续漏极电流):46A
  Vgs(栅源极电压):±20V
  功耗:20W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

MMDF3N03HDR2G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功率损耗并提高效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频开关应用。
  3. 高电流承载能力,支持高达46A的连续漏极电流。
  4. 良好的热性能,能够有效散热以维持稳定的工作状态。
  5. 宽广的工作温度范围,从-55℃到175℃,适合各种恶劣环境中的使用。
  6. 小型化封装,节省PCB板空间,满足现代电子设备对小型化的需求。
  7. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。

应用

MMDF3N03HDR2G适用于多种电力电子应用领域,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中的功率开关。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 工业自动化系统中的负载开关。
  4. 汽车电子中的电池管理系统和逆变器。
  5. 通信设备中的电源管理和信号切换。
  6. 高效节能照明系统的驱动电路。
  由于其优异的性能和可靠性,该器件已成为众多电力电子设计中的理想选择。

替代型号

MMDF3N03HTR2G, FDMF3138, BSC016N04LS G

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