型号：UT6MA3TCR
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A
　　脉冲漏极电流（Idm）：17.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs=10V, 4.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=4.5V, 4.4A
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：500pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：190pF @ Vds=15V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ Vds=15V
　　栅极电荷（Qg）：12nC @ Vgs=10V
　　功耗（Pd）：1W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

UT6MA3TCR具备多项优异的电气与物理特性，使其在同类MOSFET产品中表现出较强的竞争力。首先，其低导通电阻是该器件的核心优势之一。在Vgs=10V条件下，Rds(on)仅为22mΩ，而在标准逻辑电平4.5V驱动下也能保持28mΩ的低阻状态，这意味着在大电流通过时产生的导通损耗较小，有助于提高电源转换效率并减少发热。这一特性特别适用于电池供电设备或对能效要求较高的应用场景，如移动电源、LED驱动模块和便携式仪器仪表。
　　其次，UT6MA3TCR具有快速的开关响应能力。得益于较低的栅极电荷（Qg=12nC）和适中的输入电容（Ciss=500pF），该器件能够在高频开关电路中实现快速的导通与关断，减少开关过渡时间，从而降低动态损耗。这对于高频DC-DC变换器、同步整流电路以及PWM调光系统尤为重要。同时，较低的反向传输电容（Crss=50pF）也减少了米勒效应的影响，提升了器件在高速开关下的稳定性，避免误触发或振荡现象的发生。
　　再者，该器件采用SOT-23小型化封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，适用于空间受限的高集成度电路设计。尽管封装尺寸小，但其热性能经过优化，在良好散热条件下仍可承受1W的功耗，满足多数中等功率应用的需求。此外，UT6MA3TCR的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，具备良好的环境适应性，可在高温工业环境或低温户外设备中稳定运行。
　　最后，该MOSFET具备较强的抗静电能力和栅极保护设计，栅源电压可承受±20V，提高了在实际装配和使用过程中的可靠性。综合来看，UT6MA3TCR以其低Rds(on)、高开关速度、小封装和宽温度范围等特点，成为中小功率开关应用中的理想选择。

UT6MA3TCR广泛应用于多个电子领域，尤其适用于需要高效、紧凑型功率开关解决方案的设计场景。在电源管理系统中，常用于负载开关、电源路径控制和电池充放电管理电路，凭借其低导通电阻和快速响应能力，能够有效减少能量损耗并提升系统续航能力，常见于智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等便携式设备中。
　　在DC-DC转换器拓扑结构中，UT6MA3TCR可作为同步整流管使用，替代传统肖特基二极管，显著提升转换效率，特别是在降压（Buck）电路中表现突出。其高速开关特性也使其适用于脉宽调制（PWM）控制的LED背光驱动和恒流源设计，确保亮度调节平稳且响应迅速。
　　此外，该器件还可用于电机驱动电路中的H桥低端开关，控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换，适用于智能家电、玩具机器人和微型泵类设备。在工业控制领域，UT6MA3TCR可用于继电器驱动、电磁阀控制和传感器电源开关，实现对执行机构的精确控制。
　　由于其SOT-23封装的小型化优势，该器件也常被用于空间受限的高密度PCB设计，如TWS耳机充电仓、可穿戴设备和物联网终端模块。同时，其良好的温度适应性和长期稳定性也使其适用于汽车电子外围电路、车载照明控制及低功耗通信模块中。总体而言，UT6MA3TCR是一款通用性强、适用范围广的N沟道MOSFET，能满足多样化电子系统的功率开关需求。

AO3400
　　SI2302
　　FDS6670A
　　IRLML6344