时间：2025/9/6 10:52:29
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MMD70R1K4PRH是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的高性能功率MOSFET器件，主要应用于电源管理和功率转换系统中。该器件采用先进的屏蔽栅（Shielded Gate）技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，能够在高频率下工作，从而提高系统效率并减少热损耗。该MOSFET适用于服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、同步整流器以及各种高效率电源转换系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：700V
漏极电流（Id）@25°C：30A
导通电阻（Rds(on)）：典型值1.45Ω，最大值1.85Ω
栅极电荷（Qg）：典型值35nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-263（表面贴装）
工艺技术：屏蔽栅（SGT）技术
功率耗散（Ptot）：典型值83W
漏极-源极击穿电压（BVdss）：700V
MMD70R1K4PRH采用了英飞凌先进的屏蔽栅（Shielded Gate）技术，使得该MOSFET在导通和关断过程中能够显著降低开关损耗，提高整体能效。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下，导通压降和功率损耗保持在较低水平，从而提高系统的整体效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于在高频开关应用中减少驱动损耗，提升系统响应速度。
该MOSFET具有较高的热稳定性和耐用性，适合在高温环境下长时间运行。其表面贴装封装（TO-263）形式便于PCB布局和散热管理，适用于现代高密度电源设计。MMD70R1K4PRH在设计时考虑了电磁干扰（EMI）优化，有助于减少高频开关过程中产生的噪声，提升系统的电磁兼容性能。
此外，该器件具有良好的短路耐受能力，可在异常工况下提供一定的保护能力。其栅极驱动电压范围宽泛，适用于多种驱动电路设计，包括半桥、全桥和同步整流等拓扑结构。
MMD70R1K4PRH广泛应用于各类高效率电源系统中，如服务器电源、电信整流器、工业电源、LED照明驱动器、DC-DC转换模块等。在同步整流器中，该MOSFET能够显著提高整流效率，降低功耗。在PFC（功率因数校正）电路中，它可作为主开关元件，提供优异的导通和开关性能。此外，该器件也适用于太阳能逆变器、储能系统以及电动汽车充电设备中的功率转换环节，确保系统在高效率和高可靠性之间取得良好平衡。
IPW60R017C7, STF7NM60ND, FCH070N650B
