时间：2025/9/28 15:30:01
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UM100SDZ-20-TS是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现属于Qorvo）推出的高性能碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温工作环境设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备优异的开关特性与热性能，适用于多种电源转换应用。UM100SDZ-20-TS的额定电压为1200V，平均正向电流可达100A，反向恢复时间极短，几乎无反向恢复电荷，因此在硬开关和软开关拓扑中均能显著降低开关损耗，提高系统整体效率。该器件封装形式为TO-247-3L，便于安装于标准散热器上，适合工业级应用环境。其无掺杂p-n结的纯肖特基结构避免了传统硅基PIN二极管的少数载流子存储效应，从而实现快速响应和低电磁干扰（EMI）。此外，该二极管具有良好的温度稳定性，正向压降随温度变化较小，可在-55°C至+175°C的结温范围内可靠运行。UM100SDZ-20-TS广泛用于光伏逆变器、电动汽车充电系统、不间断电源（UPS）、工业电机驱动及高密度电源模块等高端电力电子设备中。
型号：UM100SDZ-20-TS
制造商：Qorvo (原 UnitedSiC)
器件类型：碳化硅肖特基二极管
重复峰值反向电压（VRRM）：1200 V
平均正向整流电流（IF(AV)）：100 A
最大正向压降（VF）：1.7 V @ 100A, Tj=25°C
反向漏电流（IR）：1.0 mA @ 1200V, Tj=25°C；10 mA @ 1200V, Tj=150°C
反向恢复时间（trr）：典型值 15 ns
反向恢复电荷（Qrr）：典型值 15 nC
工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +175 °C
封装类型：TO-247-3L
极性：单个二极管
UM100SDZ-20-TS的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的肖特基势垒结构，这一设计从根本上消除了传统硅基PIN二极管中存在的少数载流子注入与复合过程，因而实现了近乎理想的开关行为。由于没有反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复电流尖峰，该器件在高频开关操作中显著降低了开关损耗和电磁干扰，有助于提升系统效率并简化滤波电路设计。其正向压降较低且具有正温度系数，有利于多个二极管并联使用时的电流均衡，提高了系统的可扩展性和可靠性。此外，在高温工作条件下，该器件仍能保持稳定的电气性能，反向漏电流虽然随温度上升而增加，但在同类产品中仍处于较低水平，确保了长期运行的稳定性。
该器件具备出色的热导率和耐高温能力，能够在高达175°C的结温下持续工作，减少了对复杂冷却系统的需求，特别适合紧凑型高功率密度设计。TO-247-3L封装不仅提供了良好的电气隔离和机械强度，还支持三端引出配置，便于优化栅极驱动布局或用于检测目的。在实际应用中，UM100SDZ-20-TS能够有效替代传统的硅超快恢复二极管或作为IGBT和SiC MOSFET的续流二极管，大幅改善系统动态响应和能效表现。其坚固的结构设计也增强了抗浪涌能力和长期可靠性，满足严苛工业和汽车级应用要求。
UM100SDZ-20-TS广泛应用于需要高效、高频和高可靠性的电力电子系统中。在光伏（PV）逆变器中，该器件常用于直流链路的升压二极管或交流输出侧的续流路径，利用其低Qrr和高耐压特性提升整体转换效率，尤其是在高日照和高温环境下表现出色。在电动汽车（EV）和充电桩领域，它被用于车载充电机（OBC）和直流快充模块中的PFC（功率因数校正）电路，帮助实现高功率密度和高能效目标。此外，在工业电机驱动和变频器中，该二极管可作为逆变桥臂的续流元件，配合SiC MOSFET使用，实现更高的开关频率和更低的系统损耗。
在不间断电源（UPS）和服务器电源等通信电源系统中，UM100SDZ-20-TS适用于全桥或半桥LLC谐振变换器、有源钳位正激电路以及图腾柱PFC拓扑，显著减少死区期间的体二极管导通损耗。同时，其高温稳定性和长寿命特性使其适用于恶劣环境下的铁路牵引系统、储能系统（ESS）和感应加热设备。得益于其卓越的动态性能和鲁棒性，该器件也成为许多高端工业电源模块和模块化多电平变换器（MMC）的关键组件。
UF3008DRG
UFS30R120K3S
