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MMD60R360PRH 发布时间 时间:2025/8/20 19:46:37 查看 阅读:20

MMD60R360PRH 是一款由 Mitsubishi Electric(三菱电机)制造的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高功率和高频率应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术,提供出色的导通性能和开关效率。它通常用于电源转换、马达控制、逆变器和各种工业设备中。

参数

类型:功率 MOSFET
  电压 - 漏源(Vds):600V
  电流 - 连续漏极(Id):27A
  导通电阻(Rds(on)):160mΩ
  功率(W):200W
  工作温度:-55°C ~ 150°C
  安装类型:通孔
  封装/外壳:TO-247
  晶体管配置:单
  栅极电荷(Qg):90nC
  输入电容(Ciss):1900pF
  上升时间(tr):40ns
  下降时间(tf):25ns

特性

MMD60R360PRH 具有多个关键特性,使其在高功率应用中表现出色。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))为160mΩ,这有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。对于需要高电流处理能力的应用来说,这是一个至关重要的特性。
  其次,该 MOSFET 采用先进的沟槽栅极技术,提供了优异的开关性能。其上升时间为40ns,下降时间为25ns,这意味着它可以快速切换状态,从而减少开关损耗并提高工作效率。此外,MMD60R360PRH 的栅极电荷(Qg)为90nC,这一参数决定了其在高频应用中的性能,较低的栅极电荷有助于减少驱动电路的负担。
  该器件的漏源电压(Vds)为600V,连续漏极电流(Id)为27A,能够承受较高的电压和电流应力,适用于各种高压和高功率环境。此外,其输入电容(Ciss)为1900pF,这一参数对高频应用的稳定性有重要影响。
  在热性能方面,MMD60R360PRH 采用了 TO-247 封装,具有良好的散热性能,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。其工作温度范围为-55°C至150°C,适用于各种严苛的工作环境。
  最后,该 MOSFET 设计为通孔安装类型,便于在电路板上进行安装和连接。整体而言,MMD60R360PRH 在性能、可靠性和热管理方面都表现出色,是许多工业和电力电子应用的理想选择。

应用

MMD60R360PRH 广泛应用于多个领域,包括电源转换、马达控制、逆变器和各种工业设备。在电源转换方面,该 MOSFET 常用于开关电源(SMPS)中的 DC-DC 转换器、AC-DC 整流器和 PFC(功率因数校正)电路。其高电压和高电流能力使其非常适合用于高压电源系统。
  在马达控制应用中,MMD60R360PRH 可用于三相逆变器中,驱动交流感应电机、无刷直流电机(BLDC)和永磁同步电机(PMSM)。其快速开关特性有助于减少电机驱动中的能量损耗,提高控制精度。
  此外,该器件也广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和电能质量调节设备中。在这些应用中,MMD60R360PRH 的高可靠性和热稳定性确保了系统在长时间运行下的稳定性。
  在工业自动化和控制领域,MMD60R360PRH 可用于可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器和工业机器人。其优异的开关性能和低导通电阻使其成为这些应用中不可或缺的元件。
  最后,在汽车电子和电动车充电系统中,MMD60R360PRH 也常用于 DC-AC 逆变器和车载充电器(OBC)模块中,为电动车提供高效的能量转换解决方案。

替代型号

MMD60R360PRHG, MMD60R360PD, MMD60R360PRH-BK-EFE

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