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BSV12-S20 发布时间 时间:2025/12/27 21:39:31 查看 阅读:14

BSV12-S20 是一款由 Vishay Semiconductor 生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,专为高密度、高性能电源管理应用设计。该器件采用 SOT-223 封装(也称为 SC-73),具有紧凑的尺寸和优良的热性能,适用于空间受限的电路板布局。BSV12-S20 内部集成了两个独立的肖特基二极管,连接方式为共阴极配置,这种结构特别适合用于双通道整流、反向电压保护、电压钳位以及直流-直流转换器中的续流或隔离应用。由于其低正向压降和快速开关特性,BSV12-S20 能够显著降低功率损耗并提高系统效率,广泛应用于便携式电子设备、通信模块、工业控制系统和消费类电子产品中。该器件符合 RoHS 指令要求,并且具备良好的可靠性和稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持一致的电气性能。

参数

类型:双肖特基势垒二极管
  封装/外壳:SOT-223(SC-73)
  配置:共阴极
  最大重复反向电压(VRRM):20V
  最大平均正向整流电流(IF(AV)):1A(每二极管)
  峰值正向浪涌电流(IFSM):30A(8.3ms 单半波)
  最大正向压降(VF):0.48V @ 1A(典型值),0.55V @ 1A(最大值)
  最大反向漏电流(IR):0.1mA @ 20V(25°C),10mA @ 20V(125°C)
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  储存温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
  热阻抗(RθJA):约 150 K/W(标准 FR-4 PCB,4 层)
  热阻抗(RθJC):约 10 K/W

特性

BSV12-S20 的核心优势在于其低正向导通压降与高速开关能力的结合,这使其在低电压、大电流的应用场景中表现尤为出色。其典型的正向压降仅为 0.48V,在通过 1A 电流时产生的功耗远低于传统 PN 结二极管,有效减少了发热问题,提升了整体能效。这一特性对于电池供电设备至关重要,因为它能够延长电池续航时间并减少对散热设计的需求。此外,肖特基二极管固有的快速反向恢复特性意味着它几乎没有反向恢复电荷(Qrr 接近于零),从而避免了在高频开关电路中因反向恢复引起的能量损耗和电磁干扰(EMI)。这对于工作频率较高的 DC-DC 转换器、同步整流辅助电路和开关电源输出级尤为重要。
  该器件采用 SOT-223 表面贴装封装,不仅体积小巧,还具备良好的热传导性能。封装底部设有金属焊盘,可通过 PCB 上的热焊盘有效将热量传递至电路板内部的接地层或散热层,实现高效的热管理。这种设计使得 BSV12-S20 在持续负载条件下仍能保持较低的结温,提高了长期运行的可靠性。同时,共阴极结构允许两个二极管共享同一个参考点,简化了 PCB 布局,尤其适用于双路输出电源或需要独立但对称保护的信号线路。
  BSV12-S20 具有出色的温度稳定性,其反向漏电流随温度升高虽然有所增加,但在 125°C 高温下仍能控制在 10mA 以内,确保在恶劣环境下的正常工作。器件经过严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)和温度循环等,保证了在工业级温度范围内的耐用性。此外,产品符合 AEC-Q101 汽车级认证的可能性较高(需查阅最新数据手册确认),因此也可用于汽车电子系统中的低压电源管理部分。

应用

BSV12-S20 广泛应用于各类需要高效、紧凑型整流解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池充电管理和电源路径切换;在 USB 供电、移动电源和小型适配器中作为输出整流或防反接保护元件。此外,该器件常用于分布式电源架构中的点负载(Point-of-Load)转换器,作为降压变换器的续流二极管或自举电路的隔离二极管,以提升转换效率并减少电磁噪声。在工业控制领域,BSV12-S20 可用于传感器模块、PLC 输入输出接口和继电器驱动电路中的瞬态抑制和回路保护。其双通道共阴极结构也适用于音频放大器、运算放大器输出级的输出钳位电路,防止信号过冲损坏后级元件。在汽车电子中,可用于车载信息娱乐系统、LED 照明驱动和车身控制模块的低压直流电源整流与保护。由于其表面贴装特性,非常适合自动化贴片生产,广泛用于大规模消费电子产品制造。

替代型号

MBRS120T3G
  SS22-S20
  SB120LT3G
  BAS16WS

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