时间：2025/10/31 17:39:51
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MMBZ6V8AL-7是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管（TVS），专为保护敏感电子元件免受瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用SOD-123封装，具有紧凑的尺寸和高效的热性能，适用于空间受限的高密度电路板布局。MMBZ6V8AL-7主要用于吸收突发的高能量瞬变，如静电放电（ESD）、电感负载切换引起的电压尖峰以及雷击感应等过压事件，从而确保下游电路的安全运行。其工作原理基于在正常电压条件下呈现高阻抗状态，而当电压超过击穿阈值时迅速变为低阻抗状态，将多余电流引导至地线，实现对关键元器件的有效防护。由于其快速响应时间和高可靠性，这款TVS二极管广泛应用于便携式消费电子产品、通信设备接口、工业控制系统及汽车电子等领域。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素和符合AEC-Q101可靠性测试要求的特点，适合用于对环境与安全有严格要求的应用场景。
类型：单向TVS二极管
反向关断电压（VRWM）：6.8 V
击穿电压（VBR）：7.56 V @ 1 mA
最大钳位电压（VC）：10.5 V @ 1 A
峰值脉冲功率（PPPM）：300 W
最大反向漏电流（IR）：5 μA
响应时间：< 1 ns
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
封装：SOD-123
MMBZ6V8AL-7具备卓越的瞬态电压抑制能力，能够在纳秒级时间内响应过压事件，有效防止静电放电（ESD）或电快速瞬变脉冲群（EFT）对敏感电路造成损害。其单向结构设计使其特别适用于直流电源线路保护，因为在正常工作电压下保持极低的漏电流，不会影响系统功耗表现。该器件的击穿电压稳定且重复性好，在7.56V左右触发保护机制，确保被保护电路始终处于安全电压范围内。同时，最大钳位电压仅为10.5V（在1A测试条件下），意味着即使在瞬态大电流冲击下，输出端电压也不会显著升高，从而保障后级IC如微控制器、传感器或接口芯片不被损坏。
采用先进的硅PN结制造工艺，MMBZ6V8AL-7具有优异的热稳定性和长期可靠性。SOD-123小型化封装不仅节省PCB空间，还提供了良好的散热路径，有助于在多次瞬态事件中维持性能一致性。该器件可承受IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV接触放电）级别的ESD冲击，满足大多数工业与消费类应用的电磁兼容性（EMC）要求。此外，其低动态电阻特性增强了能量吸收效率，提升了整体保护性能。由于通过AEC-Q101认证，该TVS也可用于车载电子系统，例如车身控制模块、信息娱乐接口或传感器供电线路，提供稳定的过压防护解决方案。
常用于USB、GPIO、按键输入等信号线的静电保护；适用于手机、平板、可穿戴设备中的电源轨防护；可用于工业PLC输入输出端口的瞬态抑制；适合汽车电子中低压直流系统的浪涌保护；广泛部署于通信接口如RS-232、I2C、SPI等易受干扰线路；作为开关电源次级侧的辅助过压保护元件使用。
PME6V8AL, SMAJ6V8A, SMBZ6V8ALT3G
