MMBZ6V2ALT1G 是一款小型表面贴装的瞬态电压抑制二极管(TVS 二极管)。它主要用于保护敏感的电子电路免受静电放电(ESD)、感应雷击和其它瞬态电压的损害。该器件采用 SOD-323 封装,具有低电容、快速响应时间和高浪涌能力的特点,适合高速数据线和信号线的保护。
类型:瞬态电压抑制二极管
封装:SOD-323
工作电压(VRWM):6V
峰值脉冲电流(IPP):57A
最大箝位电压(VC):10.4V
反向漏电流(IR):1μA(最大值,在 VRWM 下)
结电容(Cj):8pF(典型值)
响应时间(tR):1ps(典型值)
MMBZ6V2ALT1G 提供了卓越的瞬态电压抑制性能。其主要特点包括:
1. 快速响应时间:能够迅速对瞬态电压进行反应,从而有效保护后端电路。
2. 高浪涌能力:可承受高达 57A 的峰值脉冲电流,适合严苛的工作环境。
3. 低电容设计:仅 8pF 的典型结电容使其非常适合高速信号线的保护,不会显著影响信号完整性。
4. 紧凑型封装:SOD-323 封装节省空间,便于在高密度 PCB 设计中使用。
5. 可靠性高:经过严格的测试,确保在恶劣条件下的长期稳定性。
该器件广泛应用于各种需要保护的电子系统中,包括但不限于:
1. 手机和便携式设备中的数据线保护。
2. USB 接口、HDMI 接口和其他高速接口的 ESD 保护。
3. 工业自动化设备中的信号线保护。
4. 汽车电子系统中的瞬态电压防护。
5. 无线通信模块的射频信号线保护。
PMEG6VP10BEHTR, SM6T6.0AATL