MMBZ5256BV 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装型齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和参考电压应用。该器件采用SOT-23封装,适合在空间受限的电路中使用。MMBZ5256BV具有良好的温度稳定性和低动态阻抗,适用于便携式设备、电源管理、电压参考和过压保护等场景。
类型:齐纳二极管
封装类型:SOT-23
标称齐纳电压:3.3V
齐纳电压容差:±5%
最大齐纳电流:200mA
最大耗散功率:300mW
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
动态阻抗(Zzt):15Ω(典型值)
漏电流(IR):100nA(最大值)
MMBZ5256BV齐纳二极管具有多项优异的电气和机械特性。首先,它采用了SOT-23小型表面贴装封装,适用于自动化贴片工艺和高密度PCB布局。其次,其标称齐纳电压为3.3V,容差为±5%,可在各种低电压稳压电路中提供精确的参考电压。
此外,该器件的最大齐纳电流为200mA,最大耗散功率为300mW,能够在有限的功耗范围内提供稳定的电压调节能力。其动态阻抗较低,典型值为15Ω,有助于在负载变化时保持输出电压的稳定性。漏电流最大为100nA,在关断状态下能够有效防止不必要的功耗和电压漂移。
MMBZ5256BV的温度系数较低,具有良好的温度稳定性,确保在不同工作温度下仍能提供准确的电压值。其工作和存储温度范围均为-55°C至+150°C,适用于各种工业和消费类电子设备。由于其高可靠性和紧凑的设计,MMBZ5256BV广泛应用于电池供电设备、电压调节器、信号调理电路以及各种嵌入式系统。
MMBZ5256BV主要应用于需要稳定电压参考或低电压调节的电子电路中。常见应用场景包括:电源管理模块中的电压参考源、低电压调节器、电池充电电路、电压监测电路、模拟和数字电路的信号调理、过压保护电路等。
在便携式电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,MMBZ5256BV可用于为ADC(模数转换器)或DAC(数模转换器)提供稳定的参考电压。在工业控制和测量设备中,该器件可确保传感器信号的精确采集和处理。此外,它还可用于USB接口保护、逻辑电平转换以及低功耗微控制器系统的电源管理。
由于其低漏电流和良好的温度稳定性,MMBZ5256BV也适合用于需要长时间稳定运行的系统,如安防设备、智能家居控制器和物联网(IoT)设备。
MM3Z3V3B, BZT52C3V3, MMSZ5256B