时间：2025/6/21 5:12:58
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MMBZ5248BLT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的表面贴装型瞬态电压抑制器（TVS），主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、电感负载切换和其他瞬态电压尖峰的影响。该器件属于 BZ 系列，具有低电容特性，非常适合用于高速数据线和射频信号线路的保护。
MMBZ5248BLT1G 采用 SOD-323 封装形式，体积小巧，适合在空间受限的应用中使用。其单向极性设计使其特别适用于直流供电电路的保护。
工作电压：6.8V
峰值脉冲功率：400W（典型值，@tp=10/1000μs）
反向 standoff 电压：6.8V
最大反向漏电流：1μA（@VR=6.8V）
击穿电压：8.0V
结电容：6pF（典型值）
响应时间：1ps（典型值）
封装类型：SOD-323
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高浪涌能力：能够承受高达 400W 的峰值脉冲功率，确保在瞬态事件下对电路的有效保护。
2. 快速响应时间：仅 1ps 的典型响应时间，可迅速抑制瞬态电压尖峰，避免对敏感元件造成损害。
3. 低结电容：仅为 6pF 的典型结电容，使得 MMBZ5248BLT1G 非常适合高速数据接口和射频应用。
4. 小型化封装：采用装，节省 PCB 空间，便于设计集成。
5. 宽工作温度范围：支持从 -55℃ 到 +150℃ 的工作温度，适应各种恶劣环境条件。
1. 手机、平板电脑及其他便携式电子设备中的 ESD 保护。
2. USB、HDMI、以太网等高速数据接口的瞬态电压保护。
3. 工业控制系统的信号线路保护。
4. 汽车电子中的瞬态抑制应用。
5. 无线通信设备中的射频信号线保护。
MMBZ5247BLT1G, PESD5V0R1BA
