时间：2025/5/10 11:03:02
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SI3586DV 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET，采用小型化的 PowerPAK? 1212-8S 封装。该器件具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高能效的特点，适用于高频开关和功率转换应用。由于其出色的电气性能和紧凑的封装设计，SI3586DV 广泛用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
这款 MOSFET 的设计能够满足现代电源系统对高效节能和小体积的需求，同时在动态开关和静态导通状态下都表现出优异的性能。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：9.7A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：27nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerPAK? 1212-8S
SI3586DV 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（3.5mΩ），有助于降低功耗并提高效率。
2. 快速开关能力，使其非常适合高频应用。
3. 高额定电流（9.7A）和耐压值（40V），能够应对严苛的工作条件。
4. 小型化封装，减少 PCB 占用空间，适合紧凑型设计。
5. 宽广的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），确保在极端环境下的可靠运行。
6. 低栅极电荷，进一步优化了开关性能和驱动损耗。
SI3586DV 的主要应用领域包括：
1. DC/DC 转换器中的功率开关元件。
2. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流或主开关管。
3. 电机驱动电路中的功率级组件。
4. 笔记本电脑适配器和手机充电器等便携式设备中的功率管理模块。
5. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
6. LED 照明系统的驱动电路。
SI3482DP,
SI3404DP,
IRLR7846PBF
