类型: 齐纳二极管
　　封装类型: SOT-23
　　齐纳电压(Vz): 16V
　　最大齐纳电流(Izmax): 100mA
　　最大功耗(Pd): 300mW
　　工作温度范围: -55°C ~ 150°C
　　存储温度范围: -55°C ~ 150°C

MMBZ5235B T/R齐纳二极管具有良好的电压稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的齐纳电压。其SOT-23封装形式非常适合空间受限的电路设计，同时也便于自动化装配。该器件的最大齐纳电流为100mA，使其能够适用于多种中等功率的电压调节场景。
　　此外，MMBZ5235B T/R具有较低的动态阻抗，确保了在负载变化时仍能保持输出电压的稳定性。它还具备良好的温度系数，减少了温度变化对电压精度的影响。在可靠性方面，该器件经过严格测试，具有较长的使用寿命，并能够在较高温度环境下正常工作。

MMBZ5235B T/R广泛应用于各种电子设备中，主要用于电压参考、稳压电源、过压保护电路以及信号调节电路。由于其稳定的电压特性和紧凑的封装形式，该器件常用于消费类电子产品、工业控制系统、通信设备以及汽车电子系统。
　　在消费类电子产品中，MMBZ5235B T/R可用于电源管理模块，为微处理器、传感器和其他集成电路提供稳定的参考电压。在工业控制系统中，它可以作为基准电压源，确保测量和控制电路的准确性。在通信设备中，该齐纳二极管可用于电压调节和信号调理，以提高系统稳定性和抗干扰能力。
　　此外，MMBZ5235B T/R还可用于电池管理系统，防止电池电压过高造成损坏。它也可作为保护元件用于接口电路，防止静电放电（ESD）和电压浪涌对敏感电子元件造成损害。

MMBZ5235BLT1G, MMBZ5235BS