MMBZ5232BTW_R1_00001 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和保护电路。该器件采用SOT-23封装,适合在空间受限的电子设备中使用。该齐纳二极管具有稳定的工作特性和良好的温度稳定性,适用于各种模拟和数字电路中的参考电压或过压保护应用。
类型:齐纳二极管
封装:SOT-23
标称齐纳电压:5.1V
功率耗散:200mW
最大齐纳电流:80mA
齐纳阻抗(Zzt):15Ω(最大)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-65°C 至 +150°C
反向漏电流(IR):100nA(最大)@ VR=1V
MMBZ5232BTW_R1_00001 齐纳二极管具备优异的电压稳定性能,能够在广泛的电流范围内保持输出电压的恒定。
其SOT-23封装设计使得该器件非常适合用于高密度PCB布局,节省空间的同时确保电气性能不受影响。
该器件的齐纳电压公差较小,典型值为±5%,确保在关键应用中的电压参考精度。
由于其良好的温度系数和热稳定性,可在高温环境下可靠运行,适用于工业级和汽车级电子设备。
此外,该齐纳二极管具备较低的动态阻抗,有助于减少电压波动,提高系统稳定性。
在保护电路中,MMBZ5232BTW_R1_00001 可用于防止静电放电(ESD)、瞬态电压抑制(TVS)以及过压保护,提供可靠的电路防护方案。
该器件广泛应用于各种电子系统中,包括电源管理模块、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、工业控制系统、通信设备以及消费类电子产品。
在电源电路中,它常被用作参考电压源或稳压元件,以确保系统电压的稳定性和可靠性。
在汽车电子中,MMBZ5232BTW_R1_00001 用于保护敏感的电子元件免受瞬态电压和静电放电的影响,提升系统的安全性和耐久性。
同时,它也被用于信号调理电路、传感器接口电路以及模拟前端电路中,作为电压限制和保护器件使用。
MM5Z5V1ST1G, BZV55-B5V1, MMSZ5232B-TP