时间：2025/8/14 9:36:27
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MMBZ5231BV_R1_00001 是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和参考电压源的应用。该器件采用SOD-123封装，具有紧凑的尺寸和良好的热性能，适用于高密度电路设计。其标称齐纳电压为4.7V，在测试电流下具有±5%的容差，适用于低功率稳压场合。
类型：齐纳二极管
封装形式：SOD-123
标称齐纳电压：4.7V
容差：±5%
最大齐纳电流：200mA
最大耗散功率：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
存储温度范围：-55°C ~ 150°C
MMBZ5231BV_R1_00001 齐纳二极管具备一系列优良的电气和物理特性，使其在多种电子电路中具有广泛的应用前景。首先，该器件的齐纳电压精度高，标称值为4.7V，并具有±5%的容差，适用于对电压参考要求较高的场合。其次，其采用SOD-123封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的散热性能，确保在额定电流下稳定运行。
该器件的最大齐纳电流为200mA，最大耗散功率为300mW，能够在低功耗应用中提供稳定的电压钳位功能。此外，其工作温度范围为-55°C至150°C，适应工业级环境温度要求，适用于户外设备、汽车电子和工业控制系统等严苛工作环境。MMBZ5231BV_R1_00001还具备良好的动态阻抗特性，响应速度快，能够有效抑制电源波动和瞬态电压干扰，提高电路的稳定性和可靠性。
MMBZ5231BV_R1_00001 主要应用于需要稳定参考电压或电压调节的电子电路中。常见用途包括电源管理电路中的基准电压源、电池供电设备的电压监测、信号调理电路中的电压钳位、以及低功耗稳压模块中的齐纳稳压电路。
此外，该器件也可用于保护电路中的瞬态电压抑制，例如在数字IC的电源输入端或通信接口中作为过压保护元件。由于其高精度和良好的温度稳定性，它还常用于传感器电路、ADC/DAC参考电压源、便携式仪器和消费类电子产品中。
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"MMBZ5231B",
"BZX84C4V7",
"1N4732A",
"ZMM4732"
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