MMBZ5230B 4V7是一款表面贴装型齐纳二极管(Zener Diode),由ON Semiconductor生产。该器件的齐纳电压为4.7V,适用于需要电压参考或电压调节的电路中。由于其小型封装和稳定的工作特性,MMBZ5230B 4V7广泛应用于便携式电子设备、电源管理系统、电池供电设备以及各种低功耗电路。
类型:齐纳二极管
齐纳电压:4.7V
最大齐纳电流:200mA
最大耗散功率:300mW
封装类型:SOT-23
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-65°C ~ +150°C
最大反向漏电流:100nA(在VZ -5V时)
最大动态阻抗:90Ω
齐纳电压容差:±5%
MMBZ5230B 4V7采用了先进的硅平面技术,确保了稳定的电压调节性能和良好的温度稳定性。该器件的低动态阻抗使其在负载变化时仍能维持输出电压的稳定性,适用于需要高精度电压参考的应用。此外,其SOT-23封装形式体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用。该齐纳二极管还具有快速响应时间,能够有效应对瞬态电压波动,保护电路中的敏感元件。
该器件的齐纳电压公差为±5%,适用于对电压精度有一定要求但不需要极高精度的应用场合。其低反向漏电流特性(最大100nA)有助于降低待机功耗,提高系统能效。此外,MMBZ5230B 4V7的封装设计符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺。
MMBZ5230B 4V7适用于多种电子电路中的电压参考和调节应用,包括电源管理模块、DC-DC转换器、电池充电器、稳压电路、电压检测电路以及过压保护电路等。在便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中,该器件可用于稳定电源电压,确保系统稳定运行。在工业控制设备、传感器电路、嵌入式系统中,它也可作为参考电压源或电压钳位元件。
MMBZ5230ALT1G 4.7V, MMBZ5230AWT1 4.7V, BZX84C4V7, BZV4947