容量：1 Mbit (128K x 8)
　　电压：5V
　　封装类型：32 引脚 DIP
　　访问时间：90ns
　　工作温度范围：工业级 (-40°C 至 +85°C)
　　读取电流：典型值 20mA
　　待机电流：最大 100μA
　　编程/擦除电压：12V
　　编程时间：100μs/字节（典型）
　　擦除时间：1 秒/扇区（典型）
　　数据保持时间：至少 10 年

AM29F010-90DGE1 是一款基于 NOR 架构的 Flash 存储器，具备随机访问能力，适合用于存储代码和小容量数据。该芯片支持字节写入和扇区/芯片擦除操作，用户可以通过简单的命令序列对芯片进行编程和擦除。
　　该 Flash 芯片的访问时间为 90ns，适合用于低速嵌入式系统中，例如工业控制、通信设备和老式消费电子产品。其工作电压为标准 5V，编程和擦除操作需要外部提供 12V 电压，这在现代低功耗系统中可能不太方便，但在某些工业应用中仍然可以接受。
　　AM29F010-90DGE1 支持扇区擦除和整片擦除功能，用户可以根据需要选择不同的擦除方式。每个扇区的擦除时间约为 1 秒（典型值），编程时间约为 100 微秒每字节。芯片的数据保持时间长达 10 年以上，确保了数据的长期可靠性。
　　该芯片的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，符合工业级温度标准，适用于各种恶劣环境下的应用。

AM29F010-90DGE1 主要用于需要非易失性存储器的嵌入式系统中，例如：
　　? 工业控制系统
　　? 通信设备
　　? 仪器仪表
　　? 汽车电子系统（如 ECU）
　　? 老式消费电子产品
　　? 固件存储（如 BIOS）
　　该芯片适合用于存储启动代码、配置数据和小型应用程序。

AM29F010-90DCB1, AM29F010B-90DGE1, AT29C010A-90PI, SST39SF010A-70-4C-EK