时间：2025/12/26 19:58:13
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MBR20100CT-1PBF是一款由ON Semiconductor生产的高效率、双肖特基势垒整流二极管，专为高电流、低压应用设计。该器件采用中心抽头配置的TO-220AC封装，内部集成了两个100V/20A的肖特基二极管共阴极连接，适用于需要高密度功率转换和低损耗整流的电源系统。由于其低正向压降和快速恢复特性，MBR20100CT-1PBF在开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器以及工业电源设备中得到了广泛应用。该器件符合RoHS标准，无铅（Pb-free），并具有良好的热稳定性和可靠性，适合在严苛的工业环境中长期运行。MBR20100CT-1PBF广泛用于服务器电源、电信设备、UPS不间断电源和太阳能逆变器等高能效电源拓扑结构中，尤其适用于同步整流或输出整流阶段。
型号：MBR20100CT-1PBF
封装类型：TO-220AC
二极管配置：双共阴极（中心抽头）
最大重复反向电压（VRRM）：100V
平均整流电流（IF(AV)）：20A（单二极管）
峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（@8.3ms半正弦波）
最大正向压降（VF）：0.87V @ 20A, Tj=125°C
最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 100V, Tj=125°C
工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +125°C
存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
热阻（RθJC）：1.5°C/W（典型）
安装方式：通孔（Through-Hole）
MBR20100CT-1PBF的核心优势在于其低正向导通压降和优异的开关性能。该器件采用先进的肖特基势垒技术，利用金属-半导体结而非传统的PN结，从而显著降低了正向压降（VF），通常在满载20A条件下仅为0.87V左右（Tj=125°C），相比传统快恢复二极管可大幅降低导通损耗，提升系统整体能效。这种低VF特性在低压大电流输出的应用中尤为重要，例如在12V或5V输出的开关电源中，能够有效减少发热，提高电源的功率密度。
该器件为双共阴极结构，即两个独立的肖特基二极管共享一个阴极引脚，这种配置特别适用于全波整流电路或双路同步整流拓扑，如LLC谐振转换器或有源钳位反激式电源中的次级侧整流。由于无需外部连接即可实现中心抽头功能，简化了PCB布局，减少了寄生电感，有助于提升电磁兼容性（EMI）性能。此外，肖特基二极管本身具备极快的反向恢复速度（trr接近于零），几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），因此在高频开关环境下不会产生显著的开关损耗或电压尖峰，避免了对主开关器件（如MOSFET）造成应力冲击。
MBR20100CT-1PBF具有良好的热性能，其结到外壳的热阻（RθJC）仅为1.5°C/W，表明其能够高效地将内部产生的热量传导至散热器，适合在高功率密度设计中使用。器件支持高达20A的持续平均整流电流，并可在短时间内承受高达150A的浪涌电流，表现出较强的过载能力。其工作结温范围宽达-65°C至+125°C，确保在极端环境温度下仍能稳定运行。封装采用符合RoHS标准的无铅工艺，同时保留了TO-220的经典机械结构，便于安装散热片，适用于工业级和商业级应用场景。
MBR20100CT-1PBF广泛应用于各类高效率、高功率密度的电源系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的次级侧全波整流，特别是在100W至500W功率范围内的AC-DC适配器、工业电源模块和嵌入式电源系统中。由于其低正向压降和高电流处理能力，它非常适合用于服务器电源、基站电源和网络通信设备中的DC-DC转换器输出整流环节。
在DC-DC变换器拓扑中，如同步降压、正激或LLC谐振转换器中，MBR20100CT-1PBF常被用作次级侧整流元件，替代传统快恢复二极管以提升转换效率。其快速开关特性也使其适用于电池充电系统、UPS不间断电源和太阳能光伏逆变器中的防反接与能量回馈路径。此外，在电机驱动器、电动工具电源和LED驱动电源等对效率和散热有严格要求的场合，该器件也能发挥出色的性能表现。
由于其TO-220封装具备良好的机械强度和散热能力，MBR20100CT-1PBF也常见于工业控制设备、医疗电源和自动化系统中，作为关键的功率整流组件。其高可靠性和长期稳定性使其成为工业级电源设计中的优选方案之一。
STPS20H100CT
VS-20CTQ100-M3
MBR20100CT
