型号：7N60-LD
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：7A (Tc=25℃)
　　脉冲漏极电流(Idm)：28A
　　最大功耗(Pd)：100W (Tc=25℃)
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.95Ω，最大值1.2Ω (Vgs=10V, Id=3.5A)
　　阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 4.0V (Id=250μA)
　　输入电容(Ciss)：典型值1050pF (Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz)
　　输出电容(Coss)：典型值280pF
　　反向传输电容(Crss)：典型值50pF
　　二极管正向电流(Is)：7A
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围(Tstg)：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

7N60-LD的核心特性在于其在600V高耐压条件下仍能保持较低的导通电阻，这使得它在高频开关电源中表现出优异的能效水平。该器件采用平面场效应技术与多次光刻工艺，确保了元胞密度的提升与电气参数的一致性，从而有效降低了Rds(on)，减少传导损耗。同时，其栅极氧化层经过特殊处理，具备较高的栅极耐压能力，可承受±30V的栅源电压冲击，提高了实际使用中的可靠性。
　　在动态特性方面，7N60-LD具有适中的输入和输出电容，使得在常见的PWM控制器驱动下能够实现快速开关，降低开关过程中的交越损耗。其Crss（反向传输电容）较低，有助于抑制米勒效应引起的误触发，提升在高dv/dt环境下的稳定性。此外，器件内部集成的体二极管具有较快的反向恢复速度，虽未达到快恢复二极管级别，但在常规反激式电源中足以满足需求，并能在LLC谐振拓扑中作为续流路径使用。
　　热性能方面，TO-220封装提供了良好的散热路径，结合合理的PCB布局和散热片设计，可在75°C以上环境温度下长期稳定工作。该器件通过了多项国际可靠性认证，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和高压煮试验（UHAST），确保在恶劣环境下仍能维持性能一致性。此外，7N60-LD还具备较强的抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压事件中吸收一定能量而不发生永久性损坏，增强了系统的安全裕度。

7N60-LD主要应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其适合用于反激式（Flyback）和准谐振（Quasi-Resonant）拓扑结构的AC-DC转换器。其600V的耐压等级正好匹配通用输入电压范围（85VAC~265VAC）下的峰值电压需求，因此广泛用于手机充电器、笔记本适配器、小型家电电源模块等消费类电子产品。
　　在LED照明领域，7N60-LD常被用作恒流驱动电路中的主控开关，配合专用LED驱动IC实现高效、稳定的直流输出，适用于20W至60W的LED灯电源设计。由于其具备良好的开关特性和热稳定性，也能胜任工业级LED路灯或室内照明系统的电源部分。
　　此外，该器件还可用于电机驱动、电磁炉、UPS不间断电源和小型逆变器等需要高压开关功能的场合。在这些应用中，7N60-LD不仅承担能量转换任务，还需应对复杂的负载变化和瞬态干扰，因此其高可靠性和抗干扰能力显得尤为重要。对于成本敏感且对性能有一定要求的设计方案，7N60-LD提供了一个平衡性能与价格的理想选择。

KSE7N60F1
　　STP7NK60ZFP
　　FQP7N60C
　　SPW7N60C
　　IRFBC40