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MMBZ5221B_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 19:41:16 查看 阅读:6

MMBZ5221B_R1_00001 是一款由安森美半导体(onsemi)生产的表面贴装型齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和电路保护应用。该器件采用SOT-23封装,适用于需要紧凑设计和高稳定性的电子设备中。

参数

类型:齐纳二极管
  封装类型:SOT-23
  标称齐纳电压:2.4V
  最大齐纳电流:200mA
  最大功耗:300mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-65°C ~ 150°C
  引脚数:3

特性

MMBZ5221B_R1_00001 是一款高精度的齐纳二极管,具有良好的电压稳定性和温度系数。该器件采用先进的硅扩散技术,确保了齐纳电压的高度一致性。其SOT-23封装形式使其非常适合用于高密度PCB布局,同时具备良好的热性能和机械稳定性。
  这款齐纳二极管的典型应用包括电源电压调节、参考电压源、过压保护电路等。其低动态阻抗特性使其在负载变化时仍能保持稳定的输出电压,从而提高电路的可靠性。此外,该器件还具有快速响应时间,适用于需要快速电压钳位的应用场景。
  在电气特性方面,MMBZ5221B_R1_00001 的齐纳电压容差为±5%,最大反向漏电流在未击穿状态下非常低,通常小于100nA。这种低漏电特性使其在低功耗电路中表现优异。此外,该器件的热阻(RθJA)较低,有助于在高电流工作时有效散热。

应用

MMBZ5221B_R1_00001 主要应用于以下领域:便携式电子设备中的电压调节、模拟电路中的参考电压源、数字电路中的电平转换、电池供电设备的过压保护、工业控制系统的信号调节和保护、汽车电子系统中的电压稳压和钳位保护等。此外,该器件也常用于传感器接口电路、数据通信设备和消费类电子产品中,以确保电路的稳定性和可靠性。

替代型号

MMBZ5221B, MMSZ5221B, 1N4728A

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MMBZ5221B_R1_00001参数

  • 现有数量3,000现货
  • 价格1 : ¥1.51000剪切带(CT)3,000 : ¥0.26309卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)2.4 V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大值410 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)30 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100 μA @ 1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装SOT-23