时间：2025/12/25 13:40:34
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MMBZ33VALFHT116是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的表面贴装稳压二极管（齐纳二极管），采用SOD-123FL小型封装，专为高密度、低功耗电子设备中的电压保护和稳压应用而设计。该器件具有精确的击穿电压和较低的动态阻抗，能够在多种工作条件下提供稳定的参考电压或过压保护功能。MMBZ33VALFHT116的标称齐纳电压为33V，适用于需要中高压稳压的电路环境，例如电源管理模块、接口保护电路以及信号调理系统等。由于其小尺寸封装和优良的热性能，该器件特别适合用于便携式电子产品、通信设备和工业控制装置中。
这款齐纳二极管经过优化设计，具备良好的温度稳定性和长期可靠性，并符合RoHS环保标准及无卤素要求，满足现代绿色制造的需求。其SOD-123FL封装不仅节省PCB空间，还支持自动化高速贴片工艺，有助于提升生产效率。此外，该器件具有较低的泄漏电流和快速响应特性，在瞬态电压抑制方面表现出色，可有效防止静电放电（ESD）、电感负载切换引起的电压尖峰以及其他形式的电气干扰对敏感电路造成损害。
类型：齐纳二极管
功率：500mW
齐纳电压：33V @ 6.7mA
容差：±5%
测试电流：6.7mA
最大钳位电压：48.4V
最大正向电压：1.2V
最大反向漏电流：1μA
封装：SOD-123FL
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
MMBZ33VALFHT116具备优异的电压调节精度与稳定性，其标称齐纳电压为33V，在测试电流6.7mA下具有±5%的容差控制，确保在各种工作条件下都能提供可靠的稳压性能。该器件采用先进的硅半导体工艺制造，具有低动态阻抗特性，这意味着在电流变化时输出电压波动极小，从而提升了整个系统的电源稳定性。这种低阻抗特性尤其在负载变化频繁或输入电压不稳定的环境中显得尤为重要，能有效抑制电压波动，保护后续电路免受损坏。
该齐纳二极管的最大功耗为500mW，结合SOD-123FL封装良好的散热设计，可在较高环境温度下持续运行。其工作结温可达150°C，展现出出色的热稳定性与可靠性，适用于严苛工业环境下的长期使用。同时，该器件在反向偏置状态下的漏电流极低，典型值仅为1μA，在待机或低功耗模式下几乎不会产生额外能耗，有利于提高整体能效。
MMBZ33VALFHT116还具备较强的瞬态响应能力，能够迅速响应电压突变并进入导通状态，将过电压能量泄放到地，起到保护下游元件的作用。这一特性使其广泛应用于接口电路（如USB、RS-232、GPIO等）的静电防护，以及开关电源反馈回路中的电压参考源。此外，其封装尺寸紧凑，仅为2.7mm × 1.6mm × 1.1mm，非常适合高集成度PCB布局需求，有助于实现产品小型化与轻量化设计目标。
MMBZ33VALFHT116常用于各类电子设备中的电压参考、稳压及过压保护场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的反馈网络中作为基准电压源，确保输出电压的精确调控；在DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）和电源监控电路中用于电压箝位与异常检测；也可用于通信接口线路（如CAN、I2C、UART）的瞬态电压抑制，防止ESD或浪涌事件导致芯片损坏。此外，它还适用于传感器信号调理电路中作为偏置电压稳定器，以及在工业控制系统、消费类电子产品和汽车电子模块中提供可靠的电压保护解决方案。
PMBZ33VAL, MMBZ33VASECT-7-F, SZMM3Z33VALTR-M3
