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MMBZ33VAL,215 发布时间 时间:2025/9/14 19:54:31 查看 阅读:41

MMBZ33VAL,215 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的表面贴装硅单向击穿二极管,主要用于电压保护和稳压应用。该器件属于齐纳二极管类别,具有精确的击穿电压特性,适用于各种电子电路中作为电压参考或过压保护元件。MMBZ33VAL,215 采用 SOD-123 封装,体积小巧,适合高密度 PCB 设计。

参数

类型:齐纳二极管
  极性:单向
  标称齐纳电压:33V
  齐纳电压容差:±5%
  最大耗散功率:300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOD-123
  引脚数:2

特性

MMBZ33VAL,215 具备出色的电压稳定性和较低的动态电阻,使其在负载变化时仍能保持稳定的输出电压。该器件的击穿电压容差为 ±5%,确保在设计中具有良好的一致性。其低泄漏电流特性使其在待机模式下功耗极低,适用于节能型电子设备。此外,该齐纳二极管具备良好的热稳定性,可在广泛的温度范围内可靠工作,适用于工业和汽车电子等严苛环境。
  MMBZ33VAL,215 的 SOD-123 封装形式具有优良的机械强度和热传导性能,有助于提高器件的长期可靠性。其表面贴装设计简化了 PCB 组装流程,提高了生产效率。器件的响应速度快,能够迅速抑制瞬态过电压,从而保护后续电路免受损坏。此外,该器件符合 RoHS 环保标准,适用于绿色电子产品设计。

应用

MMBZ33VAL,215 主要用于需要精确电压参考或过压保护的场合。典型应用包括电源稳压电路、电压监测系统、电池管理系统(BMS)、工业控制设备、通信模块、汽车电子控制单元(ECU)以及各种便携式电子设备。在汽车应用中,该器件可作为电压钳位元件,用于保护敏感的电子组件免受瞬态电压冲击。在电源管理电路中,它可以作为参考电压源,用于调节输出电压或实现欠压/过压检测功能。

替代型号

MMBZ33VBL,215, MMBZ33VAL-13-F, MMBZ33VAL-7-F, P6KE33A

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MMBZ33VAL,215参数

  • 标准包装3,000
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 二极管
  • 系列-
  • 电压 - 反向隔离(标准值)26V
  • 电压 - 击穿31.35V
  • 功率(瓦特)40W
  • 电极标记2 通道阵列 - 单向
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934061802215