时间：2025/9/14 19:54:31
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MMBZ33VAL,215 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的表面贴装硅单向击穿二极管，主要用于电压保护和稳压应用。该器件属于齐纳二极管类别，具有精确的击穿电压特性，适用于各种电子电路中作为电压参考或过压保护元件。MMBZ33VAL,215 采用 SOD-123 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 设计。
类型：齐纳二极管
极性：单向
标称齐纳电压：33V
齐纳电压容差：±5%
最大耗散功率：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOD-123
引脚数：2
MMBZ33VAL,215 具备出色的电压稳定性和较低的动态电阻，使其在负载变化时仍能保持稳定的输出电压。该器件的击穿电压容差为 ±5%，确保在设计中具有良好的一致性。其低泄漏电流特性使其在待机模式下功耗极低，适用于节能型电子设备。此外，该齐纳二极管具备良好的热稳定性，可在广泛的温度范围内可靠工作，适用于工业和汽车电子等严苛环境。
MMBZ33VAL,215 的 SOD-123 封装形式具有优良的机械强度和热传导性能，有助于提高器件的长期可靠性。其表面贴装设计简化了 PCB 组装流程，提高了生产效率。器件的响应速度快，能够迅速抑制瞬态过电压，从而保护后续电路免受损坏。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，适用于绿色电子产品设计。
MMBZ33VAL,215 主要用于需要精确电压参考或过压保护的场合。典型应用包括电源稳压电路、电压监测系统、电池管理系统（BMS）、工业控制设备、通信模块、汽车电子控制单元（ECU）以及各种便携式电子设备。在汽车应用中，该器件可作为电压钳位元件，用于保护敏感的电子组件免受瞬态电压冲击。在电源管理电路中，它可以作为参考电压源，用于调节输出电压或实现欠压/过压检测功能。
MMBZ33VBL,215, MMBZ33VAL-13-F, MMBZ33VAL-7-F, P6KE33A
