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MMBZ27VCLT1G 发布时间 时间：2023/4/10 10:32:25 查看 阅读：428

MMBZ27VCLT1G技术参数

目录

概述

齐纳击穿电压Vz最小值(V)：25.650

齐纳击穿电压Vz典型值(V)：27

齐纳击穿电压Vz最大值(V)：28.350

@Izt(mA)：1

描述：表面安装双齐纳二极管,共阴

封装/温度(℃)：3SOT-23/-55~150

资料

厂商
ON Semiconductor

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MMBZ27VCLT1G产品

MMBZ27VCLT1G参数

  • 标准包装1
  • 类别过电压，电流，温度装置
  • 家庭TVS - 二极管
  • 系列-
  • 电压 - 反向隔离（标准值）22V
  • 电压 - 击穿25.65V
  • 功率（瓦特）40W
  • 电极标记2 通道阵列 - 单向
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3（TO-236）
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MMBZ27VCLT1GOSDKR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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