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MMBZ27VCLT1G 发布时间 时间:2023/4/10 10:32:25 查看 阅读:444

MMBZ27VCLT1G技术参数

目录

概述

齐纳击穿电压Vz最小值(V):25.650

齐纳击穿电压Vz典型值(V):27

齐纳击穿电压Vz最大值(V):28.350

@Izt(mA):1

描述:表面安装双齐纳二极管,共阴

封装/温度(℃):3SOT-23/-55~150

资料

厂商
ON Semiconductor

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MMBZ27VCLT1G参数

  • 标准包装1
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 二极管
  • 系列-
  • 电压 - 反向隔离(标准值)22V
  • 电压 - 击穿25.65V
  • 功率(瓦特)40W
  • 电极标记2 通道阵列 - 单向
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称MMBZ27VCLT1GOSDKR