时间：2025/12/25 13:39:26
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MMBZ10VALT116是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的表面贴装硅雪崩二极管，采用SOD-123封装。该器件专为保护敏感电子电路免受电压瞬变和静电放电（ESD）损害而设计，适用于需要高可靠性电压钳位和过压保护的应用场景。其主要功能是在正常工作电压下呈现高阻抗状态，而当电压超过预定的击穿电压时迅速转变为低阻抗状态，将多余的电流引导至地，从而保护后续电路。MMBZ10VALT116的标称齐纳电压为10V，在规定的测试条件下能够稳定工作，并具备良好的动态响应能力。由于采用了先进的制造工艺，该器件具有较小的漏电流、稳定的击穿电压特性和较长的使用寿命。此外，SOD-123封装形式使其适合于自动化贴片生产，广泛应用于便携式电子产品、通信设备、工业控制模块以及汽车电子系统中。
类型：齐纳二极管
配置：单路
是否无铅：是
是否环保：是
工作温度：-55℃ ~ 150℃
功率 - 最大：500mW
电容 @ Vr：90pF @ 0V
齐纳电压（Vz）：10V @ 5mA
阻抗（最大值）（Zzt）@ Izt：45 Ohms @ 5mA
泄漏电流 @ Vr：100nA @ 5V
反向电压（典型值）（Vr）：8.7V
击穿电压 (V(BR)min)：9.5V
击穿电压 (V(BR)max)：10.5V
MMBZ10VALT116作为一款高性能的表面贴装齐纳二极管，具备多项关键特性以满足现代电子系统对可靠性和紧凑性的需求。首先，其精确的击穿电压范围（9.5V至10.5V）确保了在不同批次和工作环境下的电压稳定性，使得电路设计人员可以准确预测钳位行为。其次，该器件在额定电流5mA下的动态阻抗仅为45Ω，这一低阻抗特性有助于在发生过压事件时有效限制电压上升幅度，提供更强的保护能力。同时，其反向漏电流在5V偏置下仅为100nA，表明在正常工作状态下功耗极低，不会对系统的待机性能造成影响，特别适用于电池供电或低功耗应用。
该器件采用SOD-123小型化封装，尺寸仅为2.7mm x 2.2mm左右，适合高密度PCB布局，并支持回流焊工艺，提升了生产效率与组装良率。热性能方面，其最大功耗为500mW，在适当的散热条件下可长时间承受瞬态过载。此外，高达150℃的工作结温上限使其能够在恶劣的工业或汽车环境中稳定运行。器件还具有优异的雪崩耐受能力，能够在多次ESD冲击后保持性能不变，符合IEC61000-4-2等电磁兼容标准要求。这些综合特性使MMBZ10VALT116成为电源轨保护、信号线防护及接口电路中的理想选择。
MMBZ10VALT116广泛应用于各类需要过压保护和电压稳压的电子设备中。常见应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理单元保护；在通信接口电路中用于USB、HDMI、RS-232等数据线路的静电放电（ESD）防护，防止因人体接触或电缆感应引起的高压脉冲击穿敏感IC。此外，该器件也常用于工业控制系统中的模拟输入/输出通道保护，确保传感器信号在传输过程中不受外界干扰影响。在汽车电子领域，可用于车载信息娱乐系统、ECU外围电路以及车身控制模块中的低压电源轨钳位，提升整车电磁兼容性与运行可靠性。由于其快速响应特性和稳定的电压钳位能力，还可作为参考电压源用于精度要求不高的稳压电路中，或与其他保护器件配合构成多级浪涌抑制网络。
PMBZ10VAL,115,MMSZ10VT1G
