类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　最大连续漏极电流（ID）：4.3A
　　导通电阻（RDS(ON)）：31mΩ @ VGS=4.5V
　　功率耗散（PD）：2W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：RJ 封装（SOT-23 或类似）

MMBTRC231S(RJ) MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻，能够在低电压条件下提供高效的功率传输，减少功率损耗，提高系统整体效率。此外，该器件的高耐压能力使其适用于多种中低功率应用。其栅极驱动电压范围较宽，支持 1.8V 至 4.5V 的逻辑电平驱动，兼容多种控制器和驱动电路。
　　另一个重要特性是其良好的热稳定性，得益于优化的封装设计和材料选择，MMBTRC231S(RJ) 能够在高温环境下保持稳定工作，从而提升系统的可靠性。该器件还具备较高的雪崩能量承受能力，有助于防止因瞬态电压引起的损坏。
　　在封装方面，MMBTRC231S(RJ) 采用小型化表面贴装封装（RJ 封装），便于自动化生产和 PCB 空间受限的应用场景。该封装具有良好的散热性能，同时简化了安装和维修过程。此外，其 RoHS 合规性确保符合现代环保法规要求，适用于消费电子、工业控制和汽车电子等多个领域。

MMBTRC231S(RJ) MOSFET 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理电路、LED 驱动器、电机驱动器和小型电机控制电路。由于其高效率和低功耗特性，该器件特别适合用于便携式电子产品中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理系统。
　　在工业自动化和控制系统中，MMBTRC231S(RJ) 可用于驱动继电器、传感器和执行器等负载，其高可靠性和热稳定性确保在复杂环境下的稳定运行。此外，在汽车电子系统中，如车载充电器、车身控制模块和车载娱乐系统中，该 MOSFET 也表现出色，能够满足严格的汽车电子标准。
　　由于其支持低电压逻辑电平驱动的特点，该器件常用于与微控制器或数字信号处理器（DSP）配合工作的电路中，作为高效的开关元件。同时，其紧凑的封装设计使得它成为高密度 PCB 布局的理想选择，广泛应用于空间受限的设计中。

DMG23DSV-7, 2N3464, MMBF170, MMBF2300